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광신호(光信號)를 전기신호로 변환하기 위한 트랜지스터. 광(光)트랜지스터라고도 한다. 트랜지스터의 베이스와 컬렉터 사이의 p-n접합에 빛을 조사(照射)하면 전자와 양공(陽孔)이 발생하고, 전기장을 따라 이동하여 광전류를 발생시킨다.
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(영어) 👉https://youtu.be/J4oO7PT_nzQ
5V 레귤레이터 설계 사용 지침서👉https://youtu.be/Ek7692X8BeI
가변 주파수 드라이브를 설명하다 – iGBT👉https://youtu.be/OKoimpZhXpw
전기 모터의 작동 방식👉 https://youtu.be/aU4pvdcI0kw
PLC 기초 설명👉https://youtu.be/e7osFeJrco0
원심 펌프 기본 사항 hvac👉 https://youtu.be/TPyd2lANe00
전류 교류👉https://youtu.be/8WJJE7TnVtA
수동 변속기👉 https://youtu.be/-c38vwtm7-s
시간 지연 릴레이를 설명하다👉https://youtu.be/VXsEkSte3hU
계전기 작동 방법👉https://youtu.be/uYcu7wIwjyk
파워 인버터 설명 👉 https://youtu.be/W8tWL3bkHRU
다이오드 설명: 👉 https://youtu.be/RI3uH0eo6ek
열전대 작동 방식 👉 https://youtu.be/zmJidY7N7q0
교류발전기 👉 https://youtu.be/ISDE-qU6n_o
콘덴서에 대한 설명- 콘덴서: 👉 https://youtu.be/oD4R0dG6qoQ
전압 설명 (영어) : 👉 https://youtu.be/w82aSjLuD_8
역률 설명 (영어): 👉 https://youtu.be/Tv_7XWf96gg
인덕터를 설명하다 👉: https://youtu.be/gUivTtU1TcU
공학적인 사고방식 👉: https://youtu.be/ISDE-qU6n_o
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포토 트랜지스터: 작동, 용도, 특성, 장단점 – Lambda Geeks
포토 트랜지스터의 정의 : … 광 트랜지스터는 빛의 수준을 감지하고받는 빛의 수준에 따라 이미 터와 컬렉터 사이에 흐르는 전류를 변경할 수있는 반도체 장치입니다.”.
Source: ko.lambdageeks.com
Date Published: 3/11/2022
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포토트랜지스터 – 엘레파츠
센서 (0005) > 포토센서/광반도체 (00050034) > 포토트랜지스터 (000500340013)
Source: www.eleparts.co.kr
Date Published: 8/11/2022
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Photo Transistor[포토트랜지스터] – IC114
상세보기4.5mm Photo Transistor. 판매가1100원; 할인가; 수량 … 상세보기4.2mm High-sensitivity NPN silion phototransistor. 판매가500원; 할인가400원; 수량
Source: www.ic114.com
Date Published: 2/13/2022
View: 9840
포토 트랜지스터
정의: 포토 트랜지스터는 3 층감광성베이스 영역을 갖는 반도체 장치. 베이스는 빛을 감지하여 콜렉터와 이미 터 영역 사이를 흐르는 전류로 변환합니다.
Source: illustrationprize.com
Date Published: 3/24/2022
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- Author: 공학적인 사고방식
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- Date Published: 2021. 4. 4.
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포토트랜지스터(phototransistor)
광신호(光信號)를 전기신호로 변환하기 위한 트랜지스터. 광(光)트랜지스터라고도 한다.
트랜지스터의 베이스와 컬렉터 사이의 p-n접합에 빛을 조사(照射)하면 전자와 양공(陽孔)이 발생하고, 전기장을 따라 이동하여 광전류를 발생시킨다.
이 광전류를 직접 트랜지스터 작용에 의해 증폭하는 것이 포토트랜지스터이다.
1950년 미국의 J. N. 시브가 발명했다.
포토트랜지스터의 빛의 파장특성은 반도체의 금지대폭(禁止帶幅)에 의해 결정되므로, 상한(上限)은 게르마늄에서는 0.7eV에 상응하는 1.5μm, 실리콘에서는 1.1eV에 상응하는 0.97μm가 되며, 이 부근에서 최고감도가 얻어진다.
광전류는 조명도(照明度)에 비례하여 증대하는데, 입사광이 너무 크면 발열(發熱)의 영향으로 증가율은 내려간다.
포토트랜지스터는 감도는 좋으나 입출력 사이의 직선성(直線性)이 떨어지기 때문에 광(光)스위칭 소자(素子)로 이용된다.
외광(外光)의 검출 외에 발광(發光) 다이오드와 짝지어 포토커플러·포토인터럽터(photointerrupter ; 光斷續器)로 이용하는 수가 많다.
포토 트랜지스터: 작동, 용도, 특성, 장단점 – Lambda Geeks
포토 트랜지스터 란? ?
? 포토 트랜지스터의 작동 원리
포토 트랜지스터 사용
포토 트랜지스터 기호
포토 트랜지스터의 특성
포토 트랜지스터의 장단점
포토 트랜지스터는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환 할 수있는 변환기입니다. 회로를 설계하는 동안 파장, 정렬, 인터페이스 등과 같은 매개 변수를 더 중요하게 고려해야합니다.
포토 트랜지스터의 정의 :
광 트랜지스터는 빛의 수준을 감지하고받는 빛의 수준에 따라 이미 터와 컬렉터 사이에 흐르는 전류를 변경할 수있는 반도체 장치입니다.”
이름에서 알 수 있듯이 광 트랜지스터는 빛을 감지하고 트랜지스터 단자 사이의 전류 흐름을 변화시킬 수있는 트랜지스터입니다.
일반적으로 트랜지스터는 빛에 민감합니다. 이 트랜지스터의 특성은 광 트랜지스터에 사용됩니다. NPN 유형 포토 트랜지스터는 유형 중 하나입니다.
포토 트랜지스터
여기서,베이스에 부딪히는 광 트랜지스터 광은베이스에 실제로 적용된 전압을 대체하므로 광 트랜지스터는 광 신호에 따라 불일치를 증폭합니다. 포토 트랜지스터에는베이스 단자가있을 수도 있고 없을 수도 있습니다. 존재하는 경우 기본 영역은 광 트랜지스터의 빛의 영향을 바이어스하도록 허용합니다.
이 유형의 트랜지스터는 빛의 노출에 의해 제어됩니다. BJT를 제어하는 포토 다이오드와 같습니다.
포토 트랜지스터는 BJT 또는 FET와 같은 하나의 유형이 될 수 있습니다.
이러한 유형의 트랜지스터는 일반적으로 플라스틱 재료로 덮여 있으며 부품 중 하나는 빛을 위해 열려 있거나 투명하게 유지됩니다.
포토 트랜지스터의 상징:
광 트랜지스터의 상징
포토 트랜지스터
포토 트랜지스터의 예 :
KDT00030TR
PS5042
OP506A, OP550A, OP506B
TEKT5400S, TEMT1030
SFH314-2 / 3, SFH 325 FA-Z
QSE113E3R0
BPW17N, BPV11F, BPW85C 등
포토 트랜지스터의 작동 원리
포토 트랜지스터의 출력은 이미 터 단자에서 가져옵니다. 따라서 광선은 기본 영역으로 허용됩니다.
포토 트랜지스터는 우리의 요구 사항에 따라 XNUMX 개 또는 XNUMX 개의 터미널 장치가 될 수 있습니다. 포토 트랜지스터의베이스는 바이어스 목적으로 만 사용됩니다. NPN 트랜지스터의 경우베이스는 이미 터 단자에 대해 + ve가되고, PNP 트랜지스터에서 콜렉터 단자는 이미 터 단자에 대해 -ve가됩니다.
처음에는 광선이 포토 트랜지스터의베이스 영역에 들어가 전자 정공 쌍을 생성합니다. 이 프로세스는 주로 역방향 바이어스에서 발생합니다. 이 유형의 트랜지스터의 활성 영역은 전류 생성에 사용됩니다. 차단 및 포화 영역은 특정 트랜지스터를 스위치로 작동하는 데 사용됩니다.
광 트랜지스터와 그 작동은 다음과 같은 내부 및 외부 요인에 따라 달라집니다.
광전류의 강도는 DC 전류 이득이 높을수록 더 커집니다.
광감도는 들어오는 광속에 대한 광전자 전류의 비율로 주어집니다.
파장이 증가하면 주파수가 감소합니다.
콜렉터-베이스 접합의 면적이 넓어지면 광 트랜지스터에 의해 발생하는 광 전류의 진폭이 높아집니다.
포토 트랜지스터의 특성:
여기서 X 축은 V입니다. CE – 컬렉터-이미 터 리드에 적용된 전압을 나타내고 Y 축은 I입니다. C – 회로를 통해 전달되는 콜렉터 전류를 mA 단위로 나타냅니다.
보시다시피 곡선은베이스 영역에있는 복사 강도에 따라 전류가 증가하고 있음을 명확하게 나타냅니다.
여기서 X 축은 조도 레벨을 나타내며 Y 축에는 기본 전류가 그려져 있습니다.
포토 트랜지스터의 장점:
이 유형의 트랜지스터의 효율은 광 다이오드보다 큽니다. 트랜지스터의 전류 이득은 포토 다이오드에 비해 더 많습니다. 입사광이 동일하더라도 광 트랜지스터는 더 많은 광전류를 생성합니다.
포토 다이오드에 비해 포토 트랜지스터의 응답 시간이 더 깁니다. 따라서 이러한 유형의 트랜지스터는 응답 시간이 더 빠릅니다.
광 트랜지스터는 노이즈 간섭에 영향을받지 않습니다.
광 트랜지스터는 비용이 적게 듭니다.
이 유형의 트랜지스터의 회로는 덜 복잡합니다.
포토 트랜지스터의 단점:
포토 트랜지스터의 효율은 전자기장이 방해를 받으면 감소합니다.
더 높은 주파수에서는 포토 트랜지스터가 제대로 작동하지 않습니다. 이 문제로 인해 고주파에서 광전류를 효과적으로 변환하지 못합니다.
전기 스파이크가 자주 발생합니다.
포토 트랜지스터의 응용 :
광 트랜지스터는 계수 시스템에 사용됩니다.
이러한 유형의 트랜지스터는 컴퓨팅 시스템에서 사용됩니다.
이 유형의 트랜지스터는 가변 전압을 생성하는 데 사용할 수 있습니다.
이러한 유형의 트랜지스터가 사용됩니다.
광전류 변환 효율이 높기 때문에 원격 인쇄기에 널리 사용됩니다.
이 유형의 트랜지스터의 가장 중요한 응용 프로그램은 광 검출기로 사용하는 것입니다. 또한 매우 적은 빛도 감지 할 수 있습니다.
그들은 또한 펀치 카드를 만드는 데 중요한 역할을합니다.
이 유형의 트랜지스터는 광섬유에도 사용되는 중요한 광전자 장치입니다.
광 트랜지스터가 역 바이어스되는 이유는 무엇입니까?
포토 다이오드는 역방향 바이어스로 연결되어 전하 면적을 줄이고 접합부의 커패시턴스를 좁 힙니다. 이것은 더 높은 대역폭을 허용합니다. 빛은 나처럼 행동한다 B 따라서 NPN 포토 트랜지스터에서 콜렉터는 저항성 부하에 의해 + ve 전압을 갖는 반면, 이미 터는 접지됩니다.
포토 레지스터와 포토 트랜지스터의 차이점
특징 포토 레지스터 포토 트랜지스터 빛에 반응 덜 민감 함 더 민감한 어둠 속에서 최대 저항 낮은 높은 밝은 빛에서 최소 저항 높은 낮은 현재 운반 능력 높음 (거의 두 배) 포토 레지스터보다 비교적 낮음 방향 포토 레지스터는 모든 방향의 입사광에 민감합니다. 그래서 방향이 없다 포토 트랜지스터는 특정 방향의 입사광에 민감하고 다른 방식에서는 둔감합니다. 온도에 따라 다름 저항은 온도 변화에 따라 변동합니다. 유효 저항은 온도 변화에 따른 변동이 적습니다. 저항 변화 적용된 전압에 관계없이 빛의 강도에 대해 저항의 변화가 관찰되지 않았습니다. 즉, 동일하게 유지됩니다. 유효 저항은 적용된 전압에 따라 다릅니다. 비용 비교적 비싸다 비교적 저렴
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포토 트랜지스터
정의: 포토 트랜지스터는 3 층감광성베이스 영역을 갖는 반도체 장치. 베이스는 빛을 감지하여 콜렉터와 이미 터 영역 사이를 흐르는 전류로 변환합니다.
포토 트랜지스터의 구조는 다음과 유사합니다.베이스 단자를 제외한 일반 트랜지스터. 광 트랜지스터에서,베이스 단자는 제공되지 않고,베이스 전류 대신에, 광 에너지가 입력으로 취해진 다.
포토 트랜지스터의 상징
광 트랜지스터의 기호는 일반적인 트랜지스터의 기호와 유사합니다. 유일한 차이점은 포토 트랜지스터의베이스에 빛이 입사하는 것을 나타내는 두 개의 화살표입니다.
포토 트랜지스터의 원리
종래의 트랜지스터는 개방 된 단자베이스 회로를 가지고 있다고 가정한다. 컬렉터베이스 누설 전류는베이스 전류 I CBO .
나는 기음 = βI 비 + (1 + B) I CBO
베이스 전류 I 비 = 0, 그것은 개방 회로로 작동합니다. 그리고 컬렉터 전류가됩니다.
나는 기음 = (1 + B) I CBO
상기 방정식은 콜렉터 전류가 전류 누설 전류에 직접 비례 함을 나타내며, 즉 I 기음 컬렉터베이스 영역의 증가에 따라 증가한다.
포토 트랜지스터 동작
광 트랜지스터는 반도체자료. 빛이 물질에 닿았을 때, 반도체 물질의 자유 전자 / 홀은베이스 영역을 흐르는 전류를 야기한다. 포토 트랜지스터의베이스는 트랜지스터를 바이어스하는 데에만 사용됩니다. NPN 트랜지스터의 경우 컬렉터는 에미 터와 관련하여 양극이되고 PNP에서는 콜렉터가 음의 값을 유지합니다.
빛은의 기본 영역에 들어갑니다.포토 트랜지스터는 전자 – 정공 쌍을 생성한다. 전자 – 홀 쌍의 발생은 주로 역 바이어 싱에서 발생합니다. 전계의 영향하에 전자가 이동하면베이스 영역에 전류가 흐른다. 베이스 전류는 이미 터 영역에서 전자를 주입했다. 광 트랜지스터의 주요 단점은 저주파 응답을 갖는다는 것이다.
포토 트랜지스터 구조
phototransistor의 건설은 꽤있다.일반 트랜지스터와 유사합니다. 이전에, 게르마늄과 실리콘은 포토 트랜지스터 제작에 사용되었습니다. 작은 구멍은 렌즈를 배치하기 위해 컬렉터 -베이스 접합부의 표면에 만들어집니다. 렌즈는 표면에 빛을 집중시킵니다.
요즘 트랜지스터는 높은 빛으로 만들어져 있습니다.효과적인 재료 (예 : 갈륨 및 비소). 에미 터 -베이스 접합은 순방향 바이어스로 유지되고 컬렉터 -베이스 접합은 역 바이어스로 유지된다.
표면에 빛이 비치지 않을 때작은 역전 류의 포화 전류는 트랜지스터에서 유도된다. 역전 포화 전류는 소수의 전하 캐리어 때문에 유도합니다. 빛 에너지는 콜렉터 -베이스 접합부에서 떨어지며 역전류 포화 전류에 전류를 더하는 전하 캐리어를 생성합니다. 아래 그래프는 빛의 강도와 함께 전류 증가의 크기를 보여줍니다.
포토 다이오드 대 포토 트랜지스터
광 트랜지스터는 연기 감지기, 적외선 수신기, CD 플레이어, 레이저 등을 감지하는 전자 장치에 널리 사용됩니다.
광 다이오드와 광 트랜지스터는 모두 광 에너지를 전기 에너지로 변환합니다. 그러나 광 트랜지스터는 다음과 같은 장점 때문에 포토 다이오드보다 주로 선호됩니다.
포토 트랜지스터의 전류 이득은 동일한 양의 빛이 그것에 닿았을지라도 포토 트랜지스터보다 더 큽니다.
포토 트랜지스터의 감도는 포토 다이오드보다 높습니다.
포토 다이오드는 에미 터 단자를 제거함으로써 포토 트랜지스터로 변환 될 수 있습니다.
포토 다이오드의 응답 시간은 많이 걸린다.포토 트랜지스터보다 높다. 포토 다이오드의 출력 전류는 마이크로 암페어 단위이며, 나노초 단위로 켜지거나 꺼질 수 있습니다. 광 트랜지스터의 응답 시간은 마이크로 초이며 밀리 암페어의 전류를 제공합니다.
Photodarlington
포토 얼링 톤에서, 2 개의 트랜지스터는아래 그림과 같은베이스를 통해 뒤로 이러한 배열에서, 포토 트랜지스터는 훨씬 더 높은 전력을 유도한다. 즉, 그들의 감도가 증가한다.
포토 렐리 톤 트랜지스터는 큰 스위칭 시간을 갖는다. 이 장치는 통합 앰프 및 감광성 SCR 앰프 등에 사용됩니다.
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