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p-n접합면에서 전기장과 공핍층이 생기는 이유(p-n juction)
(https://www.youtube.com/watch?v=8QcoOxD2g_I\u0026t=13s)
출처 EBSi(www.ebsi.co.kr)
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‘정보 저장능력 10배’ 신소재 발견…차세대반도체 개발 청신호
국내 연구진이 차세대 메모리 반도체로 주목받는 ‘스핀 메모리’의 후보 … 을 가진 스핀 반도체 신소재 개발이 가능해질 것으로 기대한다”고 말했다.
Source: www.sciencetimes.co.kr
Date Published: 8/13/2022
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초박막 전극 신소재 개발, 차세대 반도체 활용에 한 걸음 다가서다
… 유연성을 보여 차세대 유연·투명 반도체 소자에도 활용될 수 있을 것”이라 기대했다. – 초박막,신소재,반도체 전자소자,초박막 전극,반도체 계면.
Source: www.joongang.co.kr
Date Published: 10/3/2022
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2022 반도체 신기술·신소재 트렌드 공유 – e4ds 뉴스
반도체 산업의 눈부신 성장과 함께 차세대 공정에서 첨단기술 경쟁이 치열해지고 있다. 자율주행·메타버..
Source: www.e4ds.com
Date Published: 7/26/2021
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삼성전자, 그래핀 이어 반도체 신소재 ‘비정질 질화붕소’ 발견
삼성전자가 반도체 집적도(1개의 반도체 칩에 구성돼 있는 소자의 수)를 높일 수 있는 신소재에 한 발 더 다가섰다. 6일 삼성전자 뉴스룸에 따르면, 삼성 …
Source: biz.chosun.com
Date Published: 4/15/2021
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IBS, 반도체와 도체로 자유롭게 변신하는 2차원 신소재 개발
반도체와 도체로 자유롭게 변신하는 2차원 신소재 개발 -. 국내 연구진이 2년의 연구 끝에 온도 변화만으로 반도체와 도체를 자유롭게넘나들 수 있는 소재 (2차원 층상 …
Source: www.ibs.re.kr
Date Published: 3/25/2021
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경북대, 세계 첫 신소재 기반 반도체 소자 개발 – 경북매일신문
경북대 전자공학부 김대현 교수팀이 차세대 반도체 물질인 인듐갈륨비소 기반의 다중가교채널 트랜지스터(Multi-Brge Channel …
Source: www.kbmaeil.com
Date Published: 1/17/2021
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- Author: 광쌤
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- Date Published: 2018. 9. 17.
- Video Url link: https://www.youtube.com/watch?v=72Zf4Ca-l9U
‘정보 저장능력 10배’ 신소재 발견…차세대반도체 개발 청신호 – Sciencetimes
국내 연구진이 차세대 메모리 반도체로 주목받는 ‘스핀 메모리’의 후보 물질이 두께와 관계없이 정보를 안정적으로 저장할 수 있다는 사실을 실험으로 입증했다.
한국과학기술연구원(KIST)은 4일 스핀융합연구단 최준우 박사팀이 스핀 메모리의 후보 소재로 주목받는 반데르발스 자성체가 다른 소재보다 10배 이상 정보를 더 잘 저장한다는 연구 결과를 국제학술지 ‘나노 레터스'(Nano Letters)에 발표했다고 밝혔다.
연구진이 이용한 소재는 반데르발스 자성체인 ‘FGT'(Fe₃GeTe₂)다. 이 물질은 자성을 띤다. 분자 간 약한 상호작용인 ‘반데르발스 결합’으로 결합한 층상 구조 소재로, 반도체에 적용할 수 있다.
연구진은 물리적 박리 방식으로 FGT 소재를 산화시켰다. 그러자 표면에 반강자성체 층이 생겼고, 강자성체가 특정한 방향으로 정렬하는 ‘교환 바이어스’ 현상이 나타나는 사실을 발견했다.
교환 바이어스는 반강자성체와 상호작용으로 강자성체가 특정 방향으로 정렬하는 성질을 말한다.
통상 물질이 두꺼우면 교환 바이어스가 약해져 정보 저장성도 줄어든다.
그러나 기존 자성체와 달리 FGT 소재는 두께와 관계없이 기존 자성체보다 10배 이상 큰 교환 바이어스를 나타냈다고 연구진은 전했다.
연구진은 반데르발스 물질의 층간 상호작용으로 인해 이런 특성이 나타났다고 설명했다.
최준우 박사는 “향후 반데르발스 자성체와 다른 성질의 반데르발스 물질의 접합구조를 활용해 우수한 성능을 가진 스핀 반도체 신소재 개발이 가능해질 것으로 기대한다”고 말했다.
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초박막 전극 신소재 개발, 차세대 반도체 활용에 한 걸음 다가서다
영화에서만 주로 볼 수 있었던 인공지능시스템, 자율주행 시스템을 일상생활 속에서 실현하기 위해서는 컴퓨터의 두뇌 역할을 하는 프로세서가 더 많은 데이터를 처리할 수 있어야 한다. 그러나 컴퓨터 프로세서의 필수 부품인 실리콘 기반 논리 소자는 미세화·집적화가 심화되면서 공정비용과 전력 소모가 증가하는 한계가 있었다.
이러한 한계를 극복하기 위해 원자층 수준으로 매우 얇은 2차원 반도체에 기반한 전자소자 및 논리 소자 연구가 진행되고 있다. 그러나 2차원 반도체는 기존 실리콘 반도체 소자보다 도핑을 통한 전기적 특성 제어가 어려우므로 다양한 논리회로를 구현하기가 기술적으로 어려웠다.
한국과학기술연구원 (KIST, 원장 윤석진)은 광전소재연구단 황도경 박사와 군산대학교 (총장 이장호) 물리학과 이기문 교수 공동 연구팀이 새로운 초박막 전극 소재(Cl-SnSe2)를 개발함으로써 전기적 특성을 자유자재로 제어할 수 있는 2차원 반도체 기반 전자소자 및 논리소자를 구현하는 데 성공했다고 밝혔다.
연구팀은 2차원 전극 물질인 Cl이 도핑된 셀렌늄화주석 (Cl-SnSe2)을 이용하여 반도체 전자소자의 전기적 특성을 선택적으로 제어할 수 있었다. 기존 2차원 반도체 소자는 페르미준위 고정현상으로 인해 N형 또는 P형 소자 중 하나의 특성만 보여 상보성 논리회로 구현이 어려웠다. 반면 연구팀이 개발한 전극 소재를 이용하면 반도체 계면과의 결함을 최소화하여 N형과 P형 소자 특성을 자유자재로 제어할 수 있다. 즉, N형, P형 소자를 별도로 제작할 필요 없이 하나의 소자에서 두 가지 기능을 모두 수행하는 것이다. 연구팀은 이렇게 개발한 소자를 통해 NOR(노어), NAND(낸드) 등 서로 다른 논리 연산이 가능한 고성능·저전력 상보성 논리회로를 구현하는 데 성공했다.
KIST 황도경 박사는 “기존 실리콘 반도체 소자의 미세화·고집적화로 인해 발생하는 기술적 한계로 실용화가 어려웠던 인공지능시스템 등 차세대 시스템 기술의 산업화를 앞당기는데 기여할 것”이라며, “개발된 2차원 전극 소재는 두께가 매우 얇아 높은 광 투과성과 유연성을 보여 차세대 유연·투명 반도체 소자에도 활용될 수 있을 것”이라 기대했다.
본 연구는 과학기술정보통신부(장관 임혜숙)의 지원을 받아 KIST 주요사업, 나노및소재기술개발사업 및 정보통신방송기술개발사업으로 수행되었으며, 연구 결과는 국제학술지 ‘Advanced Materials’(IF : 30.849)에 게재되었다.
2022 반도체 신기술·신소재 트렌드 공유
2022 e4ds 반도체 트렌드 데이 10일 코엑스 개최
GaN·SiC 반도체 및 차세대 3D 적층 등 세션 마련
반도체 산업의 눈부신 성장과 함께 차세대 공정에서 첨단기술 경쟁이 치열해지고 있다. 자율주행·메타버스·스마트제조 등 디지털 전환 시대를 맞아 반도체 투자·연구가 활발한 가운데 신공정과 소재에 대한 인사이트를 제공하는 자리가 마련됐다.채널5코리아에서 주최하는 2022 e4ds 반도체 트렌드 데이 가 다음달 10일 서울 삼성동 코엑스 327호 컨퍼런스룸에서 온·오프라인으로 동시 진행한다.이번 행사의 주제는 ‘디지털 대전환, 반도체 첨단 기술·소재 경쟁 본격 개막’으로 최신 반도체 트렌드를 살펴보고 첨단 반도체 소재 기술에 대해 각계 전문가들의 인사이트를 살펴볼 수 있는 자리를 마련했다.세부 세션에는 △GaN·SiC·차량용 반도체 최신 동향의 3개 세션 △반도체 최신 설계 이슈 △반도체 소재 기술 동향 등의 구성돼 있다.특별발표에는 황철성 서울대 재료공학부 석좌교수를 초빙해 ‘차세대 메모리의 발전방향과 소재동향-3D 적층 D램 기술’을 주제로 관련 강연이 예정돼 있다.반도체 트렌드 데이는 환영사를 시작으로 노근창 현대차 증권 상무가 나와 ‘글로벌 반도체 시장 동향’을 발표한다.오전세션에는 △이형석 한국전자통신연구원 책임연구원의 ‘GaN 전력반도체 연구개발 동향’ △함정호 울프스피드 FAE의 ‘SiC 전력반도체 최신 기술 동향’ △최연규 인피니언 테크놀로지스 코리아 이사의 ‘차량용 반도체 최신 기술 동향’이 준비돼 있다.오후세션에는 최재혁 KAIST 교수가 ‘반도체 최신 설계 이슈 및 ISSCC 2022 동향’을 강연할 예정이다. 이어 이상익 DNF 전무의 ‘반도체 소재 기술 동향-Precursor’와 배종인 e4ds news 편집국장의 ‘반도체 소재 기술 동향-Specialty Gas & Rare Gas’ 세미나가 기다리고 있다.이날 세션의 하이라이트로 황철성 서울대학교 석좌교수가 나와 ‘차세대 메모리의 발전방향과 소재동향-3D적층 DRAM 기술’을 발표한다. 3D 적층 방식은 차세대 반도체의 성능 고도화와 반도체 집적도를 해결할 방안으로 대두되고 있는 기술로 이 세션을 통해 미래 공정·소재의 변화, 적층 과정에 발생할 공정 이슈 등의 인사이트를 얻을 수 있을 것으로 기대된다.또한, 참가자를 대상으로 경품 추첨 이벤트, 질문자 및 설문 참여 이벤트 등 다양한 혜택을 마련했으며 다음달 3일까지 얼리버드 할인을 진행하고 있다.반도체 트렌드 데이를 주최하는 배종인 편집국장은 “차세대 GAA 공정 양산 등 본격적인 첨단 기술 경쟁이 펼쳐질 것으로 전망되고 있다”며 “반도체 신 공정으로 인한 새로운 소재 개발에 대한 요구가 높아지는 상황에서 각계 전문가들을 모셔 인사이트를 제공하는 자리를 마련했으니 많은 참여를 바란다”고 밝혔다.한편, 오는 10일 개최되는 2022 e4ds 반도체 트렌드 데이는 e4ds 플랫폼을 통해 실시간으로 온라인 생중계될 예정이며 자세한 정보는 https://www.e4ds.com/seminar_introduce.asp?idx=131 에서 확인할 수 있다.
IBS, 반도체와 도체로 자유롭게 변신하는 2차원 신소재 개발
“IBS, 기존 반도체 제작 방식을 깨다”
– 반도체와 도체로 자유롭게 변신하는 2차원 신소재 개발 –
국내 연구진이 2년의 연구 끝에 온도 변화만으로 반도체와 도체를 자유롭게넘나들 수 있는 소재 (2차원 층상구조 다이텔레륨 몰리브데늄(MoTe2)1))를세계 최초로 개발했다.
이 물질은 15℃ 정도의 상온에서는 반도체 상태였다가 500℃이상의열을 가한 후 다시 상온으로 온도를 낮추면도체 상태로 바뀌는 성질을 가지며, 두께가 성인 머리카락 굵기의 10만분의 1 수준인 0.8nm로 매우 얇고 투명하다.
현재 반도체* 제작을 위해서는 반도체와 도체(금속)를 접합해야하기 때문에 제작공정이 복잡하고, 비용도 많이 소요되었으나,
* 세계 반도체 시장 매출액이 3천466억달러, 연평균 1.8% 성장하여 ’19년 3천894억달러 규모로 예측 (2015 IDC)
이번 개발된 신물질을 활용하면 단일물질만으로도 반도체 소자를 만들 수 있게 되어, 제작 공정이 크게 단축될 뿐만 아니라, 공정이 단축된 만큼 비용과 시간도 크게 절감할 수 있을 것으로 기대된다.
또한, 전기적, 광학적 성질이 뛰어나 투명 디스플레이나몸에 착용할 수있는 차세대 전자기기 소재등 다양한 분야에서 응용이 가능하다.
다만, 이번에 개발된 신물질을 상용화하기 위해서는 실리콘 반도체 웨이퍼처럼 넓게 제작하거나, 표면에 얇은 막을 입히는 등 표면가공 기술에 대한 후속 연구가 필요하다.
이번 연구는 미래창조과학부(장관 최양희)산하 기초과학연구원(IBS, 원장 김두철)의나노구조물리연구단(단장 이영희)연구팀과 성균관대학교, KAIST가 공동으로 수행하였다.
이번 연구를 주도한 IBS 나노구조물리연구단 양희준 연구위원은“2차원 단일 소재에서 반도체, 금속 물성 제어를 최초로 구현한 성과”라며 “5년 안에 반도체 산업 전반에 응용 가능한 소자를 개발하는 것이 궁극적인 목표다”라고 말했다.
이번 연구결과는 물리학 분야의 세계 최고 권위지인네이처 피직스(Nature Physics, IF 20.603)2)5월 4일자(영국시간, 5.4. 16:00)에 게재되었으며,이러한 나노분야의 우수 연구 성과가 조기에 산업화될 수 있도록 미래부는 지난 4월 30일 “나노기술 산업화 전략”을 발표한 바 있다.
경북대, 세계 첫 신소재 기반 반도체 소자 개발
이번에 개발한 전자소자는 기존 실리콘 기반이 아닌 신소재인 인듐갈륨비소 기반의 반도체 소자이다.
특히, 국내 실리콘 기반 반도체 대기업인 삼성과 SK하이닉스 시스템 반도체의 미래 기술에 새로운 선택지를 제시할 것으로 기대하고 있다.
김 교수팀의 연구 결과는 지난 16일(미국현지시간) 미국 하와이주 호놀룰루에서 열린 세계 3대 반도체 학회 중 하나인‘VLSI 심포지엄(SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY & CIRCUITS)’에서 공개됐다.
20일 연구팀에 따르면 다중가교채널 트랜지스터는 핀펫(Fin Field-Effect-Transistor, FinFET)의 뒤를 이을 차세대 트랜지스터 소자 구조로 주목받고 있다. 여러 층의 채널이 수직 방향으로 적층된 3차원 형태의 소자로 트랜지스터의 성능과 효율을 향상시킬 수 있다.
하지만, 복잡한 구조를 구현하기 위한 기술적으로 어려워 다중가교채널 트랜지스터 관련 연구는 대부분 삼성전자, TSMC, IBM, 인텔과 같은 글로벌 대기업들에 의해 주도됐다.
김 교수팀은 반도체 제조 중견기업인 (주)큐에스아이, 한국나노기술원 연구진과의 공동 연구로 반도체 에피, 공정 및 집적화 등의 모든 과정을 순수 국내 기술로 인듐갈륨비소 기반의 다중가교채널 트랜지스터를 세계 최초 개발했다.
연구팀은 실제 제품에 적용하면 기존 실리콘 소자 대비 최소 5배 빠른 속도를 가질 것으로 예상했다.
연구책임자인 김 교수는 “이번 연구는 새로운 구조와 신소재를 도입한 다중가교채널 트랜지스터 소자가 실제로 충분히 경쟁력 있는 성능을 가지고 있음을 입증했고, 관련된 화합물 반도체 일괄 공정을 100% 국내 순수 기술로 달성했다는 점에서 큰 의미가 있다”고 말했다. 그러면서 “연구에서 얻은 재성장 기반의 집적화 공정 기술은 현재 (주)큐에스아이와 공동개발 중인 차세대 통신용 반도체소자 개발에서 새로운 혁신을 가져올 것으로 기대한다”고 덧붙였다.
/심상선기자 [email protected]
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