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반도체 공부하기 3번째!!
이번에는 식각공정에 대해 알아보았습니다.
식각공정에 필요한 소재 및 부품 그리고 장비까지…
저도 막 공부하는 단계이니 잘못된 내용이 있으면
댓글로 부탁드립니다~~
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[HOT ISSUE] 국내 반도체용 에칭가스 산업의 현실
일반적으로 식각 공정이라고 불리는 에칭(etching)작업은 미술에서 오목판화를 그리기 위해 금속판 표면에 부식방지약제를 칠한 다음 바늘과 같은 뾰족한 …
Source: www.igasnet.com
Date Published: 7/28/2022
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日 경제 보복, 왜 ‘에칭가스’인가… 일본산 순도 99.999% ‘독보적’
에칭가스는 반도체 생산 공정에서 습식 식각과 세정(클리닝) 과정에서 핵심적으로 쓰이는 소재다. 식각 공정이란 화학 용액이나 가스를 이용해 실리콘 …
Source: www.munhwa.com
Date Published: 6/3/2022
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[팩트체크]에칭가스로 화학무기 제조?…”일본의 억지 주장”
(서울=연합뉴스) 김수진 기자 = 일본이 우리나라를 상대로 고순도 불화수소(에칭가스) 수출을 규제하면서 화학무기를 만드는 데 쓰일 수 있다고 주…
Source: www.yna.co.kr
Date Published: 1/27/2022
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[단독] 삼성, 고순도 에칭가스도 국산화 시동···日 수출규제 격파
에칭가스는 일부 국산화에 성공한 액체 형태의 불화수소(불산액)보다 제조와 취급이 까다로워 그동안 대체가 불가능한 품목 중 하나였다. 불화수소는 …
Source: www.ajunews.com
Date Published: 4/4/2021
View: 2943
반도체 소재 불화수소 (에칭가스) 동향 및 관련주 – 네이버 블로그
“반도체 제조공정에서 회로의 불필요한 부분을 깎아내는 에칭(etching,식각) 공정과 불순물을 제거하는 과정에서 사용되는 독성이 있는 부식성 기체이다.
Source: m.blog.naver.com
Date Published: 7/8/2022
View: 2156
반도체소재 – 불화수소(에칭가스), 포토레지스트
고순도 불화수소(에칭가스)는 무엇인가? … 반도체 제조공정 가운데 에칭 공정과 불순물 제거 과정에서 사용하는 기체다. 2019년 7월 일본이 갑작스럽게 …
Source: invisiblecity.tistory.com
Date Published: 5/11/2022
View: 489
에칭 가스 – KR20120078749A
개시되어 있는 것은, CHF 2 COF를 포함하여 이루어지는 에칭 가스이다. … 이 에칭 가스는, 대(對) 레지스트 선택비나 가공 형상의 에칭 성능이 우수할 뿐만 아니라, …
Source: patents.google.com
Date Published: 12/22/2022
View: 3564
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주제에 대한 기사 평가 애칭 가스
- Author: 디벨럽_DEVELOP
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- Date Published: 2020. 6. 17.
- Video Url link: https://www.youtube.com/watch?v=O4flMBT9B0g
[HOT ISSUE] 국내 반도체용 에칭가스 산업의 현실
국내 고순도 시장규모 LHF 4만톤/年, GHF 10톤/年 일본의 수출규제는 한국의 강제징용에 대한 배상판결에 불복해 보복조치를 한 것이다. 우리나라 경제의 버팀목이라고 해도 과언이 아닌 반도체 산업에서 비중이나 매출은 적지만 반드시 필요한 소재부분을 건드리며 경제 급소를 가격했다. 그중에도 플루오린화 수소(HF, hydrogen fluoride, 불화수소)의 수입규제는 규모는 작지만 피드백은 강한 폭탄이 됐다. 일반적으로 반도체 제조산업은 반도체 칩을 만드는 Fabrication공정과 만든 칩을 Lead Frame 등에 부착하여 패키징하는 Assembly공정으로 나눈다. 이같은 공정에서 반도체 소재중 하나인 반도체용 특수가스는 분위기용, 증착용, 도핑용, CVD용, 에칭용(식각) 등 각각의 제조공정에서 사용된다. 반도체 제조공정상에 사용되는 에칭가스로는 공정과 제품에 따라 HF, NF3, Cl2, HCl, SF6, HBr, CF4, BCl3, C3F8, SiF4, C2F8 등이 사용된다. 일반적으로 식각 공정이라고 불리는 에칭(etching)작업은 미술에서 오목판화를 그리기 위해 금속판 표면에 부식방지약제를 칠한 다음 바늘과 같은 뾰족한 도구로 부식방지약제를 긁어내는 방식으로 원하는 이미지를 그린 후 부식액에 넣으면 부식방지약제를 긁어낸 부분만 부식돼 판화가 완성된다. 반도체의 에칭도 부식방지약제를 긁어서 제거하는 작업의 원리와 비슷하다고 할 수 있다. <용도별 반도체 재료가스> 특히 최근 수입에 문제가 되고 있는 불화수소는 반도체 웨이퍼에 미세한 회로 패턴을 그리는 포토리소그래피 공정에서 특정부분을 선택적으로 깎아내는 작업을 하는데 필요하다. 이 때 에칭 공정에서 포토레지스트에 피복되지 않은 부분의 산화막을 제거하는 데 고순도 액체 불화수소가 쓰이게 된다. 또한 산화막이 분포된 웨이퍼 표면을 고르게 하는 작업에서도 필요하며 순도가 높을수록 제품의 수율을 높일 수 있는데 용이하다는 것이다. 이같이 반도체에서 사용되는 에칭가스인 HF는 플루오린화 칼슘(CaF2)로 이루어진 등축정계의 결정형 할로겐(halogen) 광물인 형석(Fluorite)이라는 물질에 황산(H2SO4)을 반응시켜 약 600K의 온도로 가열 반응시켜 생성한다. 이렇게 반응시켜 생산된 것이 99.99% 이하의 저순도 불화수소이며 함유된 불순물로는 H2SiF6(0.001%), SO2(0.003%), H2SO4(0.005%), H2O(0.0005%) 등과 미량의 As, Fe 등이 포함돼 있다. 고순도 불화수소 제조를 위해서는 추가적인 정제과정을 거쳐 이같은 불순물들을 대부분 제거해야하며 순도 99.999% 이상의 제품이 반도체 공정에 쓰이게 된다. 지난해 기준으로 우리나라가 수입한 불화수소는 1.6억 달러로 한화 1,920억원 규모였으며 일본산 비중이 42%에 이르는 것으로 나타났다. 하지만 이는 저순도 액체 불화수소를 포함한 비중이며 고순도 기체 불화수소에 대한 일본의존도는 90% 이상 되는 것으로 파악되고 있다. 액체 고순도 불화수소는 컴퓨터 핵심 부품의 하나인 주기억장치인 DDR4 등 램(RAM)의 제조 과정에 주로 쓰이며 적층 메모리 3D, 4D 등의 낸드플래시에 생산공정에는 고순도 기체 불화수소가 에칭작업에 사용되고 있다. 이처럼 반도체 공정에서 고순도의 불화수소가 사용되는 것은 공정상 소재에 함유된 불순물이 회로 손상을 일으키기도 하고 반도체 성능을 저하시키는 원인이 될 수 있는 탓에 반도체내의 회로가 복잡하고 세밀해질수록 이를 고품질화할 수 있는 에칭공정에 적합한 성질을 가진 고순도 불화수소가 필요한 것이다. 현재 우리나라에 필요한 고순도 불화수소는 99.999% 이상 액체상태의 제품이 연간 4만톤 정도로 추정되며 기체 고순도 제품은 99.999%이상이 10톤 가량인 것으로 파악되고 있다. 이처럼 불화수소의 수요량은 많은 편이 아니다. 일반적으로 불산으로 불리는 저순도 불화수소는 유통량이 상대적으로 많은 편이지만 우리나라가 전 세계 시장의 60% 이상 차지하고 있는 RAM 공급량을 기준으로 볼 때 연간 4만톤 가량의 반도체용 액체 불화수소 시장이 반도체에서 차지하는 비중은 너무 작다. 시장규모도 톤당 2,500달러를 기준으로 할 때 연간 1억 달러 수준에 불과하다. 하지만 170조원의 반도체 산업에는 치명적인 아픔을 남기고 있다. 우리나라는 현재 모리타가 투자한 팸테크놀로지가 원료수입을 통해 국내 제조하는 상황에서 솔브레인(스텔라 케미파 합작법인 훽트(FECT))이 오는 9월부터 액체 불화수소 20,000톤의 증설 계획을 추진하고 있어 양산시점에는 수입량과 가격하락도 예상되는 상황이다. 지금까지 고순도 불화수소의 전 세계 시장 점유율이 1~2개 일본 기업에 치우쳐 있다는 사실만으로 시장규모나 성장동력은 상당히 약한 편이다. 그렇기 때문에 정제하는 기술개발보다는 사서 쓰는 것이 일반화될 수밖에 없게 됐지만 지금과 같은 경제전쟁이 발발한 시점에서는 기초적인 기술의 확보는 불가피하게 됐다. 실제로 불화수소의 정제기술 자체는 쉽지 않지만 기초화학적인 수준에서 재접근해보면 우리나라 기술로도 개발이 어렵지는 않다는 평이다. 화학적인 방법으로 99.99% 수준의 액체 불화수소를 정제 제조하는 데는 일반적인 증류 기술을 이용해 규소 성분의 불순물을 제거하면 된다. 하지만 0.001% 안에 함유된 Si, B, As, P, S, Cl 등 불순물을 10ppm 이하로 제거하는 정제기술은 녹록치가 않은 실정이다. 또한 이러한 방법들은 대체로 공정의 난이도가 매우 높은데다 제조와 정제에 사용되는 화학물질들이 전부 독성을 품고 있어서 취급에 상당한 어려움이 전제되고 있다. 그러나 계산적으로는 이같은 불순물의 종류에 따라 각각의 특화된 증류기술을 사용해 0.001ppb 수준까지 낮추는 정제가 전혀 불가능하지는 않다는 설명이다. 이런 차원에서 SK머티리얼즈가 연말까지 고순도 기체 불화수소의 시제품 개발에 대한 생산의지를 나타내고 본격적인 생산설비를 구축하고 있다고 밝혔다. 현재 고순도 기체 불화수소는 25kg용 실린더로 공급되며 공급가는 50~60만원/kg 가량으로 국내 연간 수요량은 10톤에 지나지 않고 있다. 차후 우리나라 기업이 수입산 제품의 국산화를 이룬다고 해도 반도체 산업의 특성에 맞는 확실한 검증작업이 필요하다. 그동안 싫든 좋든 삼성전자와, SK하이닉스 등 대표적인 반도체기업들이 일본 제품을 들여왔던 것도 원가비중이 낮고 품질테스트가 충분히 확보된 탓이다. 고순도 불화수소의 주 생산업체는 일본 스텔라 케미파와 모리타화학 등이며 전 세계 시장의 70%를 차지하고 있으며 대부분은 우리나라로 수출되고 있는 것으로 알려져 수출규제가 계속 이어질 경우 일본기업들도 주거래처 상실로 인한 경영부실로 이어질 가능성이 높은 상태인 것으로 전해졌다.
[팩트체크]에칭가스로 화학무기 제조?…”일본의 억지 주장”
전문가들 “더 저렴한 저순도 불화수소나 다른 물질로 충분…에칭가스 그런 용도로 쓰는 경우 없어”
일본, 대 한국 수출규제 3개 품목 플루오린 폴리이미드ㆍ리지스트ㆍ에칭가스 (PG) [장현경 제작] 일러스트
(서울=연합뉴스) 김수진 기자 = 일본이 우리나라를 상대로 고순도 불화수소(에칭가스) 수출을 규제하면서 화학무기를 만드는 데 쓰일 수 있다고 주장해 논란이 일고 있다.
일본 국영방송인 NHK는 9일 익명의 관계자를 인용해 “(수출규제 대상) 원재료는 화학무기인 사린 등으로 전용될 가능성이 있는데도, 일부 한국 기업이 발주처인 일본 기업에 서둘러 납입하도록 압박하는 것이 일상화됐다”고 보도했다.
일본 정부가 우리 정부에 대한 수출 규제 배경으로 불화수소 등 전략물자의 대북반출 의혹을 제기하고 있는 만큼, 이 같은 보도는 화학무기 원료가 한국을 통해 북한으로 흘러 들어갈 가능성이 있다는 인식을 부추긴다.
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그러나 국내 화학자들은 ‘에칭가스의 화학무기 전용 가능성’에 대해 “타당성이 떨어지는 억지 주장”이라고 입을 모았다.
이들은 이론상 에칭가스로 사린과 같은 화학무기를 만들 수는 있으나, 저순도 불화수소나 다른 물질로 충분히 가능한데 굳이 값비싼 에칭가스를 사용할 이유가 없다고 설명했다.
에칭가스는 순도 99.99% 이상의 고순도 불화수소로 반도체 제조 공정에서 정밀한 회로 홈을 파는데 데 쓰인다. 에칭가스는 제작이 까다롭고 저순도 불화수소와 비교해 가격이 매우 비싸다.
성영은 서울대 화학생물공학부 교수는 “사린가스를 만들 때 불화수소가 들어가는 것은 맞지만, 비싼 고순도 불화수소인 에칭가스를 쓸 이유가 전혀 없을 뿐더러 아무도 그런 용도로 쓰지 않는다”고 설명했다.
성 교수는 “순도 낮은 불화수소로 충분히 가능한데 이는 북한에서도 쉽게 구할 수 있다”며 “북한에 많은 형석이라는 암석이 있는데 거기에 황산을 부으면 만들어진다”고 말했다.
그러면서 “일본에 있는 과학자들도 다 아는 상식적인 내용인데, 정치적 이유로 억지 주장을 펴고 있다”고 지적했다.
이덕환 서강대 화학과 교수도 “사린을 만드는데 고급 불화수소를 쓸 필요가 없다”며 “불소치약에도 쓰이는 불화나트륨 같은 물질을 이용하면 더 쉽게 만들 수가 있는데 무엇 하러 비싸고 다루기도 힘든 물질을 쓰겠느냐”고 말했다.
이 교수는 “일본 사람들이 옴 진리교 때문에 사린에 나쁜 기억을 갖고 있는데 왜 그런 주장을 하는지, 과학적으로 설명할 가치도 없다”고 비판했다.
한편 우리 정부는 이날 기자회견에서 일본의 전략물자 대북반출 의혹에 대해 “전혀 근거가 없다”고 일축했다. 또한 그동안 국내 불화수소 수입업체 등에 대한 긴급 전수조사를 통해 대북반출 사실이 없음을 확인했다.
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반도체 소재 불화수소 (에칭가스) 동향 및 관련주
현재 삼성전자가 가장 시급한 것은 불화수소로 시장은 보고 있다. 불화수소는 메모리 및 비메모리 반도체 공정에 모두 사용된다. 불화수소는 반도체 공정의 핵심 소재로 식각공정(회로의 패턴 중 필요한 부분만 남기고 불필요한 부분은 깍아내는 공정)과 세정공정(불순물 제거 공정) 등에 쓰인다. 글로벌 불화수소 수요의 약 80%는 반도체 및 디스플레이 세정 공정에 사용되며 식각공정에는 약 20%가 사용되고 있다.
불화수소는 반도체 기판을 그려진 설계도에 따라 기판을 정확하게 깍아내는 역할을 한다. 여기에서 불화수소의 순도는 매우 중요하다. 일본산 불화수소의 순도는 99.9999999999% 수준이다. 국내 솔브레인 등의 업체는 원재료를 수입하여 세정공정에 주로 쓰이는 97% 수준의 저순도 불화수소를 생산한다.
“반도체 제조공정에서 회로의 불필요한 부분을 깎아내는 에칭(etching,식각) 공정과 불순물을 제거하는 과정에서 사용되는 독성이 있는 부식성 기체이다. 국내에서는 환경규제로 생산이 쉽지 않아 수입에 의존하고 있으며, 오래 보관할 경우 물질 특성이 바뀌기 때문에 필요한 양만큼만 수입해 사용한다. 고순도의 불화수소는 에칭가스(etching gas)라고도 부르며, 고순도 불화수소를 사용하면 생산량 대비 결함이 없는 제품 비율인 수율이 높아지고 품질도 신뢰할 수 있게 된다. 현재 고순도 불화수소는 대부분 일본에서 생산되고 있다. 국내에서는 화학재료 업체가 불화수소를 일본으로부터 수입해 원자재 통관 절차를 거친 후 정제해 완제품으로 만들어 반도체 제조사에 납품하고 있다.”
[네이버 지식백과] 불화수소 (시사상식사전, pmg 지식엔진연구소)
일본 수출금지 3품목
– 레지스트 : 반도체 노광공정에서의 감광제
-> JSR, 도쿄오카공업, 신에쓰화학공업
– 플루오린 폴리이미드 : 스마트폰 액정 등의 필름 재료
– 불화수소 : 반도체 세정공정에서의 에칭 가스
-> 모리타화학공업, 스텔라케미화, 쇼와전공
(자료 : 도요게이자이신문)
반도체용 불화수소 생산기업
– 일본 : Stella Chemifa, Daikin Industries, Morita Chemical Industries
– 대만 : Sunlit Chemical
– 중국 : Juhua
반도체 전공정 과정
산화 : 얇고 균일한 실리콘 산화막 형성
감광액 도포 : 감광액을 웨이퍼 표면에 도포
노광 : 마스크에 빛을 통과시켜 웨이퍼에 설계된 회로 패턴을 복사 공정
현상 : 노광 부문의 막현상
식각 : 회로 패턴 형성위해 건식 혹은 습식을 사용하여 불필요한 부분 제거
이온주입 : 전자소자의 특성 형성
증착 : 웨이퍼 표면에 수증기 형태를 증착하여 절연막이나 전도성막 형성
CMP/세정 : 웨이퍼의 평탄화, 세정(기판의 불순물 제거)
반도체 주요 전공정
반도체 장비 시장은 전공정이 75%정도 점유
– 2016년 기준 3대 공정인 노광, 식각, 증착 공정의 비중은 24%, 23%, 27% 수준
-> 증착, 식각 공정의 중요도와 투자 비중이 높아질 것
-> 반도체 공정은 찍고(노광), 깎고(식각), 덮고(증착) 등의 반복된 과정임
노광공정 : 마스크의 그려진 회로패턴을 웨이퍼로 옮기는 공정
– 마스크의 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 웨이퍼에 회로 패턴을 복사하는 공정
식각공정 : 웨이퍼에 그려진 회로패턴을 정밀하게 완성하는 공정
– 웨이퍼의 불필요한 부분을 화학물질 혹은 반응성 가스를 사용하여 선택적으로 제거하여 반도체 회로패턴을 만드는 공정
증착공정 : 웨이퍼 표면에 절연막이나 전도성막을 형성하는 공정
– 증착공정은 얇은 막을 입히는 도금기술로 보면 됨
CMP공정 : 웨이퍼를 평평하고 매끄럽게 연마하는 공정
회로 선폭 미세화의 열쇠는 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 리소그래피 공정에 있다. 리소그래피 공정의 핵심은 바로 노광이다. 노광은 설계 패턴이 새겨진 마스크 원판에 빛을 쪼이고 마스크를 통과한 빛은 웨이퍼에 그대로 복사되어 회로 패턴이 만들어 지는 과정을 의미한다.
노광공정
불화수소(에칭가스), 포토레지스트
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일본이 반도체·디스플레이 생산에 필요한 소재의 수출을 규제하며 문제가 되고 있다. 핵심 소재는 1) 고순도 에칭 가스, 2) 포토레지스트, 3) 플루오린 폴리이미드이다.
1) 에칭 가스는 불화수소이다.
2) 포토레지스트는 감광액으로 국내 생산업체에는 동진쎄미켐이 있다.
3) 플루오린 폴리이미드(FPI)는 TV와 스마트폰 디스플레이의 필수 소재로 OLED 디스플레이 패널 부품으로 사용된다. 국내 업체로는 SKC코오롱PI와 코오롱인더스트리, 경인양행 등이 있다.
고순도 불화수소(에칭가스)는 무엇인가?
반도체 제조공정 가운데 에칭 공정과 불순물 제거 과정에서 사용하는 기체다. 2019년 7월 일본이 갑작스럽게 수출을 규제하기로 하면서 반도체 생산에 차질이 우려되고 있다.
불화수소, 화학식은 HF
hydrogen fluoride
일본의 스텔라, JSR 등 기업이 세계 수요의 90% 이상을 생산하고 있다. 일본에서는 순도 99.99% ~ 99.999% 불화수소를 생산하지만 국내 기업은 97% 안팎의 저순도 불화수소를 생산한다. 솔브레인, 이엔에프테크놀로지, 후성 등의 기업이다.
솔브레인(주)
중앙연구소 및 본사는 판교에 있으며, 공주와 파주에 공장을 두고, 용인연구소와 공주 생산기술연구소 등을 두고 있다.
파주공장
파주첨단지방산업단지에 있으며, 파주1공장과 2공장의 용지면적은 22,027㎡, 업종은 C20화학물질 및 화학제품 제조업(의약품 제외)이다.
1공장(20129, 26295) : 반도체 및 디스플레이 부품
2공장(20499, 20495) : 초순수
공주공장
공주검상농공단지에 위치하며, 생산품은 다음과 같다.
1공장(20499, 20495) : PMA
2공장(20499, 20495) : Glass 식각
3공장(20499, 20495) : 반도체용 세정제 및 에칭제
4공장(20499, 20495) : Ceria Slurry
6공장(20219) : 화공약품
7공장(20499, 20495) : 디스플레이평판
에칭제는 3공장에서 생산하고 있다.
(주)이엔에프테크놀로지
본사는 논현동 수산빌딩에 있으며, 천안제5일반산업단지와 아산 인주 외국인투자지역에 공장을 두고 있다.
천안공장(36,336.9㎡) : 업종코드 20499, 20495 / 생산품 반도체용 식각액
아산공장(27,320.7㎡) : 업종코드 20499, 생산품 반도체용 용제
동진쎄미켐
공장은 화성 발안, 인천, 시화에 있다.
연구소는 판교에 있다.
사무소는 서울, 부산, 구미, 파주에 있다.
화성 공장
화성 양감면에 개별입지로 있다.
주소 : 경기도 화성시 양감면 작은돌래길 35
용지면적 : 56,442㎡
업종코드 : 27213, 20499, 20495
생산품
반도체용 Photoresist, Coating LCD & PDP용 Photoresist
Stripper, Thinner
CMP Slurry
Colored Resist , Column Spacer ,유기 절연막(LCD)
Touch Panel용 소재
Liquid Crystal
포토레지스트는 화성 공장에서 생산된다.
인천 공장
인천 남동 공단에 위치한다.
주소 : 인천광역시 서구 백범로 644
용지면적 : 13,932㎡
업종코드 : 20119, 20129
생산품
Etchants(Al, ITO, Cr, Mo, Cu & Others)
PDP용 상하 유전체
Solar Cell Materials
연료전지 (연구소)
시화 공장(발포제, TSP)
시화국가산업단지 내 위치한다.
주소 : 경기도 시흥시 소망공원로 16
용지면적 : 33,214㎡
업종코드 : 20129,20112,20121,20499,22291,22292,23112,23119,23121,23199,26295,26299
생산품
발포제
터치센서 및 모듈 (GFF, G1F 방식 등)
음성 공장
음성 공장은 임대하여 사용중인 것으로 나온다.
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KR20120078749A – 에칭 가스 – Google Patents
H — ELECTRICITY
H01 — BASIC ELECTRIC ELEMENTS
H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H01L21/00 — Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
H01L21/02 — Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L21/04 — Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
H01L21/18 — Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
H01L21/30 — Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 – H01L21/26
H01L21/31 — Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 – H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
H01L21/3105 — After-treatment
H01L21/311 — Etching the insulating layers by chemical or physical means
H01L21/31105 — Etching inorganic layers
H01L21/31111 — Etching inorganic layers by chemical means
키워드에 대한 정보 애칭 가스
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