당신은 주제를 찾고 있습니까 “차세대 메모리 – 042 차세대 메모리“? 다음 카테고리의 웹사이트 ppa.maxfit.vn 에서 귀하의 모든 질문에 답변해 드립니다: https://ppa.maxfit.vn/blog/. 바로 아래에서 답을 찾을 수 있습니다. 작성자 빠른합격! SD에듀 (시대에듀) 이(가) 작성한 기사에는 조회수 889회 및 좋아요 10개 개의 좋아요가 있습니다.
차세대 메모리 주제에 대한 동영상 보기
여기에서 이 주제에 대한 비디오를 시청하십시오. 주의 깊게 살펴보고 읽고 있는 내용에 대한 피드백을 제공하세요!
d여기에서 042 차세대 메모리 – 차세대 메모리 주제에 대한 세부정보를 참조하세요
‘반도체 전공 면접 한번에 통과하기’
반도체 핵심이론 강의 제공!
★ 시대에듀 공식 유튜브에서 공개합니다. ★
——————————————————————————————–
반도체 핵심이론은
삼성전자 반도체부분 수석 엔지니어가 직접 강의!
삼성전자, SK하이닉스 등 반도체 대기업 실전 판서 Tip 강의 수록!
전공자와 비전공자 모두 학습 가능하도록 핵심이론 상세 강의
———————————————————————————————
‘반도체 전공면접 한번에 통과하기’ 도서는
인터넷 서점(yes24, 교보문고, 인터파크 등)에서 구입하실 수 있습니다.
차세대 메모리 주제에 대한 자세한 내용은 여기를 참조하세요.
차세대 메모리 주도권 노리는 삼성전자, 레드햇과 손 잡았다
[데일리임팩트 변윤재 기자] 삼성전자가 글로벌 오픈소스 솔루션 선도 기업인 레드햇과 손잡고 차세대 메모리에 적용 중인 소프트웨어 기술력을 강화 …Source: www.dailyimpact.co.kr
Date Published: 8/2/2021
View: 4900
차세대 메모리 기술 동향
차세대 메모리 기술 동향. 한국과학기술정보연구원. 전 문 연 구 위 원 박 세 환. ([email protected]). 1. 개요. ○ 메모리 반도체의 핵심 소재로 오랫동안 …
Source: www.reseat.or.kr
Date Published: 3/27/2021
View: 2343
차세대 메모리 M램 뜬다…2024년 시장규모 1조원 이상
D램(휘발성 메모리)을 이어 차세대 메모리로 꼽히는 M램(자기저항메모리) 시장이 빠르게 확장하고 있다. 26일 시장조사업체 테크나비오에 따르면 M램 …
Source: www.straightnews.co.kr
Date Published: 3/21/2021
View: 6518
SK하이닉스가 주목하는 차세대 메모리 반도체 기술은?
기사내용 요약 코로나로 데이터 사용량 폭증…새로운 기술 개발 시급 강유전체 메모리·STT-MRAM·R램, 차세대 기술로 주목 [서울=뉴시스] 이재은 기자 …
Source: www.fnnews.com
Date Published: 11/14/2021
View: 1268
삼성전자, 차세대 메모리 대거 공개…20배 빠른 SSD
삼성전자는 2일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋’에서 차세대 메모리 반도체를 선보였다. 플래시 메모리 서밋은 …
Source: zdnet.co.kr
Date Published: 8/20/2022
View: 3081
SK하이닉스, ‘PIM’ 적용한 차세대 메모리반도체 샘플 첫 공개
SK하이닉스가 자체 데이터 연산 기능을 갖춘 차세대 메모리반도체를 개발하고, 해당 기술을 적용한 첫 제품을 선보였다. SK하이닉시는 이를 기반으로 …
Source: www.thelec.kr
Date Published: 6/9/2022
View: 7286
‘차세대 메모리’, 어디까지 개발됐나? – 디지털투데이
IoT를 위한 M램…클라우드에 활용되는 R램∙P램 어플라이드 머티어리얼즈, 차세대 메모리용 새로운 장비 개발 “가격만 맞으면, 차세대 메모리 투자 …
Source: www.digitaltoday.co.kr
Date Published: 7/12/2022
View: 3095
주제와 관련된 이미지 차세대 메모리
주제와 관련된 더 많은 사진을 참조하십시오 042 차세대 메모리. 댓글에서 더 많은 관련 이미지를 보거나 필요한 경우 더 많은 관련 기사를 볼 수 있습니다.
주제에 대한 기사 평가 차세대 메모리
- Author: 빠른합격! SD에듀 (시대에듀)
- Views: 조회수 889회
- Likes: 좋아요 10개
- Date Published: 2021. 1. 28.
- Video Url link: https://www.youtube.com/watch?v=nbVA7EDEieQ
차세대 메모리 주도권 노리는 삼성전자, 레드햇과 손 잡았다
배용철(오른쪽) 삼성전자 부사장과 마르옛 안드리아스 레드햇 부사장이 차세대 메모리 소프트웨어 기술 협력을 위한 협약을 맺고 있다. 사진. 삼성전자.
[데일리임팩트 변윤재 기자] 삼성전자가 글로벌 오픈소스 솔루션 선도 기업인 레드햇과 손잡고 차세대 메모리에 적용 중인 소프트웨어 기술력을 강화한다. 소프트웨어-하드웨어를 아우르는 토탈 메모리솔루션을 제공해 고객사 이탈을 막고, 신규 수요처를 찾겠다는 전략으로 풀이된다.25일 삼성전자는 레드햇과 차세대 메모리 분야 소프트웨어 기술 개발과 생태계 확대를 위해 협력한다고 밝혔다.
두 회사는 NVMe(PCIe 기술을 기반으로 한 비휘발성 저장장치용 인터페이스) 솔리드스테이트드라이브(SSD), 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 메모리, 컴퓨테이셔널 메모리·스토리지, 패브릭 등 차세대 메모리에 필요한 소프트웨어를 개발한다.
삼성전자 관계자는 데일리임팩트에 “고객사들의 운영체제와 소프트웨어가 다양한 데다, 최근 인공지능(AI), 머신러닝(ML), 메타버스 등 첨단 산업의 발전으로 인해 데이터 사용량이 폭발적으로 증가했다”면서 “차세대 메모리반도체 수요가 증가했다”고 말했다. 이어 그는 데일리임팩트에 “다만 기존에 없던 제품이다 보니, 최적화하는 과정이 필요하다”며 “어떤 환경에서도 원활히 작동되도록 ‘범용’ 소프트웨어를 만들 계획”이라고 설명했다.
두 회사는 CXL, PIM 등 차세대 메모리를 활용할 수 있는 기술과 함께 여러 개의 메모리·스토리지를 묶어 가상화하는 패브릭까지 묶는 소프트웨어 솔루션을 개발할 계획이다. 레드햇의 운영체제인 리눅스를 포함한 다양한 운영체제에서 원활히 작동될 수 있도록 할 예정이다. 검증과 프로모션도 함께 진행한다.
삼성전자가 외부와 협력해 소프트웨어 기술을 개발하는 것은 차세대 메모리 시장을 선점하기 위해서다. 미세공정이 한계에 도달하면서 패키징과 같은 후공정을 강화하는 등 메모리반도체 기술 기조가 변하고 있다. 삼성전자는 이번 협력을 통해 소프트웨어 기술 표준화를 이룰 것으로 전망하고 있다.
차세대 메모리 M램 뜬다…2024년 시장규모 1조원 이상
삼성전자가 개발한 eM램 제품. /사진=삼성전자
D램(휘발성 메모리)을 이어 차세대 메모리로 꼽히는 M램(자기저항메모리) 시장이 빠르게 확장하고 있다.
26일 시장조사업체 테크나비오에 따르면 M램 시장 규모는 오는 2024년 9억5271만달러(약 1조1600억원) 규모로 성장할 전망이다. 2020년부터 2024년까지 연평균성장률(CAGR)은 39%에 달할 것으로 예상된다.
M램은 자성체 소자를 이용한 비휘발성 메모리다. 플래시 메모리보다 쓰기 속도가 약 1000배 빠르고 전력 소모가 적은 것이 특징이다. 낸드플레시와 같이 전력 공급이 멈춰도 데이터가 유지되며, 데이터 쓰기 속도는 D램과 비슷하다.
현재 M램 시장의 주력 제품은 STT(스핀전달토크) M램이다. T(트랜스포즈) M램보다 전력 소모가 적고 확정성이 뛰어난 것이 특징이다. 또한, 데이터 읽기와 쓰기 시간이 빠르고 크기가 작으며 기존 D램과 S램 기술과 호환된다.
M램 시장에서 경쟁 중인 주요 기업은 미국의 인텔과 퀄컴, 허니웰과 일본의 후지쯔 등이다. 삼성전자는 2019년 3월 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eM램(내장형 M램) 솔루션을 업계 최초로 개발하며 시장에 뛰어들었다.
삼성전자는 올해 1월 M램 기반의 인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅도 세계 최초로 구현했다. 인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내에서 데이터 저장과 연산을 함께 수행하는 최첨단 반도체 기술이다.
M램은 데이터 안정성이 높고 속도가 빠른 장점에도 저항값이 낮아 인-메모리 컴퓨팅에 적용해도 전력 이점이 크지 않았다. 삼성전자 연구진은 M램의 한계를 기존 ‘전류 합산’ 방식이 아닌 새로운 개념의 ‘저항 합산’ 방식으로 저전력 설계에 성공했다.
[스트레이트뉴스 유희석 기자]
SK하이닉스가 주목하는 차세대 메모리 반도체 기술은?
기사내용 요약코로나로 데이터 사용량 폭증…새로운 기술 개발 시급강유전체 메모리·STT-MRAM·R램, 차세대 기술로 주목[서울=뉴시스] 이재은 기자 = 코로나19로 재택근무, 화상회의 등의 서비스가 전 세계적으로 급증함에 따라 데이터 사용량이 더 늘어났다. 엄청난 양의 데이터를 처리하기 위해서는 데이터 센터와 엣지 디바이스(Edge Device)에서 컴퓨팅 성능, 전력, 비용 등이 끊임없이 개선돼야 하는 상황이다.SK하이닉스의 신기술 발굴 및 개발을 주도하고 있는 RTC 나명희 담당이 ISC 2021 패널토론에서 발표한 바에 따르면 10년 내 메모리 대역폭 수요는 8배, 용량 수요는 5배 증가할 전망이다.SK하이닉스 RTC 미래메모리연구팀 김중식 TL은 뉴스룸을 통해 “데이터의 폭발적인 증가로 메모리 성능과 용량에 대한 수요가 급증하면 ‘메모리 벽’이 극에 달할 것”이라고 강조했다.최근 수십 년 동안 D램과 낸드를 대체할 수 있는 새로운 기술을 개발하기 위한 다양한 시도가 있었지만, 아직 이를 대체할 수 있는 기술은 등장하지 않았다. 특히 앞으로는 메모리 반도체 용량과 성능에 대한 수요가 예측하기 어려울 정도로 증가할 전망이어서, 메모리 반도체 기술을 더욱 발전시켜야만 새로운 기회를 창출할 수 있다.2021 VLSI 기술 심포지엄에서는 ▲강유전체 메모리(F램) ▲STT-MRAM ▲비휘발성 저항 메모리(R램) 등을 가장 널리 연구되고 있는 신기술로 꼽았다.먼저 강유전체 메모리는 외부 전기장에 의해 전환될 수 있는 두 개의 안정적인 강유전체 쌍극자를 사용하는 메모리다. 강유전체 재료는 캐퍼시터(Capacitor), 결합된 산화물층으로 상보성 금속 산화물 반도체(Complementary Metal-oxide Semiconductor, CMOS) 게이트 스택(Gate Stack)에 데이터를 저장하는 요소가 될 수 있다.특히 산화하프늄(HfO2)이 강유전성을 갖고 있다는 것이 발견돼 주목을 받고 있다. HfO2는 CMOS 게이트 산화막에 널리 사용되는 재료로, 빠른 속도와 비휘발성, CMOS 기술과의 손쉬운 통합성 덕분에 새로운 부가가치를 창출할 메모리 반도체 후보로 연구되고 있다. 하지만 강유전체 메모리가 가진 내구성의 한계는 메모리 반도체 계층 구조에서의 위치를 차지하는 데 큰 걸림돌 중 하나가 되고 있다.STT-MRAM도 주목받는 차세대 메모리 반도체 기술 중 하나다. 스핀-토크 전달을 통해 전환 가능한 두 가지 안정적인 자화 상태를 사용함으로써, 차세대 메모리 반도체 후보군으로 고려되는 다른 신기술에 비해 처리 속도가 매우 빠르며 내구성도 뛰어나다. 최근 STT-MRAM은 주로 사물인터넷 엣지 디바이스용 내장 메모리 반도체로 연구되고 있다.STT-MRAM은 저전력 특성을 갖고 있을 뿐 아니라, 백 엔드 CMOS 공정 기술에 쉽게 통합될 수 있어, 노어 플래시와 달리 프런트 엔드 공정 아키텍처 변경과 관계없이 통합할 수 있다. 한 매우 빠른 처리 속도 덕분에 최종 레벨의 캐시 메모리로 간주된다. 다만 메모리 반도체로 채택되기 위해서는 비용과 집적도를 개선할 필요가 있다.R램도 주목받는 기술이다. 컴퓨팅 프로세스를 메모리 어레이(Memory Array)로 가져오는 인메모리 컴퓨팅도 컴퓨팅 에너지와 성능을 향상하기 위한 좋은 메모리 반도체 솔루션이 될 것이다. 데이터가 메모리 반도체에서 컴퓨팅 프로세서로 전송될 때 주로 처리 시간이 지연되고 에너지가 소비되기 때문이다.이 같은 인메모리 컴퓨팅을 구현하기 위해 다양한 유형의 새로운 메모리 반도체에 대한 연구가 진행되고 있다. 그중 R램은 하나의 셀에 여러 층을 저장하는 데 더 적합하다.이 기능은 인메모리 컴퓨팅 에너지와 비용의 효율성 측면에서 필수적인 만큼 다양한 후보군 중 R램도 높은 경쟁력을 가지고 있다.김 TL은 “최근 여러 가지 새로운 메모리 반도체 기술이 각각의 독특한 장점으로 주목받기 시작했지만, 아직 승자는 없다”며 “폭발적인 데이터 수요 급증에 힘입어 메모리 반도체 시장에 완전히 새로운 기회가 열리고, 이에 따라 D램, 낸드 등 기존 메모리의 한계를 뛰어넘는 새로운 메모리 반도체 기술이 요구되고 있음은 명백하다. 그러나 이러한 새로운 기회를 잡기까지는 많은 과제가 남아 있다”고 분석했다. ☞공감언론 뉴시스 [email protected]
저작권자ⓒ 공감언론 뉴시스통신사. 무단전재-재배포 금지
SK하이닉스, ‘PIM’ 적용한 차세대 메모리반도체 샘플 첫 공개
PIM 적용 ‘GDDR6-AiM’ 제품, 세계 최고 권위 학회에서 공개 예정
메모리 반도체와 연산 기능 한 곳에 합쳐 데이터 처리 속도 극대화
SK하이닉스의 PIM 기술을 적용한 첫 제품 GDDR6-AiM.
SK하이닉스가 자체 데이터 연산 기능을 갖춘 차세대 메모리반도체를 개발하고, 해당 기술을 적용한 첫 제품을 선보였다. SK하이닉시는 이를 기반으로 머신러닝, 고성능 컴퓨팅 등 관련 메모리 솔루션 시장에 진출할 계획이다.
SK하이닉스는 연산 기능을 갖춘 차세대 메모리반도체인 PIM(Processing-In-Memory)을 개발했다고 16일 밝혔다.
PIM는 메모리반도체에서 자체적으로 데이터 연산을 할 수 있도록 만드는 기술이다. 메모리반도체에 데이터를 저장하고 CPU, GPU 등에서 데이터를 연산하던 기존 방식보다 데이터 처리 속도, 효율성이 뛰어나다는 장점이 있다.
SK하이닉스는 이달 말 미국 샌프란시스코에서 열리는 반도체 분야 세계 최고 권위 학회인 ‘2022 ISSCC’에서 PIM 개발 성과를 공개할 예정이다. 회사는 향후 이 기술이 진화하면 스마트폰 등 ICT 기기에서 메모리반도체가 중심적인 역할을 하는 ‘메모리 센트릭(Memory Centric) 컴퓨팅’도 가능해질 것으로 기대하고 있다.
이와 함께 SK하이닉스는 PIM이 적용된 첫 제품으로 ‘GDDR6-AiM(Accelerator in Memory)’ 샘플을 개발했다. 초당 16기가비트(Gbps) 속도로 데이터를 처리하는 GDDR6 메모리에 연산 기능이 더해진 제품이다. 일반 D램 대신 이 제품을 CPU/GPU와 함께 탑재하면 특정 연산의 속도는 최대 16배까지 빨라진다. 앞으로 GDDR6-AiM은 머신러닝(Machine Learning), 고성능 컴퓨팅, 빅 데이터의 연산과 저장 등에 활용될 전망이다.
특히 이 제품은 GDDR6의 기존 동작 전압인 1.35V보다 낮은 1.25V에서 구동된다. 또 자체 연산을 하는 PIM이 CPU/GPU로의 데이터 이동을 줄여 CPU/GPU에서 소모되는 전력을 줄여준다. 그 결과 기존 제품 대비 에너지 소모는 80% 가량 줄어든다.
이외에도 SK하이닉스는 최근 SK텔레콤에서 분사한 AI 반도체 기업인 사피온(SAPEON)과 협력해 GDDR6-AiM과 AI 반도체를 결합한 기술도 선보일 계획이다. 사피온 류수정 대표는 “인공 신경망 데이터 활용이 최근 급속도로 늘어나 이러한 연산 특성에 최적화한 컴퓨팅 기술이 요구된다”며 “양사의 기술을 융합해 데이터 연산, 비용, 에너지 사용 측면에서 효율성을 극대화할 것”이라고 밝혔다.
저작권자 © 전자부품 전문 미디어 디일렉 무단전재 및 재배포 금지
‘차세대 메모리’, 어디까지 개발됐나?
인공지능, 에지 컴퓨팅, 사물 인터넷(IoT) 등 점점 더 스마트해지는 애플리케이션들에서 기존의 메모리 기술로는 한계가 있다. AI와 머신러닝을 이용해 하이퍼스케일 데이터 센터를 구축하는 구글, 페이스북, 아마존 등 역시 새로운 메모리를 필요로 한다. 이들은 D램과 낸드플래시 같은 기존 메모리의 추가적 개선이나, 새로운 재료와 새로운 컴퓨팅 아키텍처로 만들어낸 차세대 메모리 등의 혁신을 기대한다.
D램(DRAM), S램(SRAM), 낸드(NAND) 플래시 등의 메모리 기술은 수십 년 전 개발돼 오늘날 디지털 기기와 시스템에 널리 사용되고 있다. M램(MRAM, Magnetic RAM), P램(PRAM 또는 PCM, Phase Change RAM), R램(ReRAM, Resistive RAM)과 같은 차세대 메모리는 기존 메모리에 비해 차별화된 장점을 가지고 있지만 대량생산이 어려운 신소재에 기반을 둬 상용화에 어려움을 겪고 있다.
29일 업계에 따르면, 차세대 메모리 개발을 위한 새로운 장비들이 시장에 공개되면서, 이에 대한 메모리 업체들의 투자가 있을 것으로 기대된다. 하지만 전문가들은 현재 침체된 메모리 시장에서 주요 메모리 업체들이 차세대 메모리를 위한 장비 투자가 급하게 진행하지는 않을 것으로 보고 있다.
대표적인 메모리 반도체 생산업체인 SK하이닉스는 25일 시장 부진을 이유로 자사의 메모리 생산 규모를 줄이겠다고 밝힌 바 있다. 마이크론과 삼성전자 역시 올 상반기 감산을 확대하고 있는 것으로 나타났다.
또 다른 전문가들은 아직 D램의 개선점이 많이 있기 때문에 차세대 메모리 시장이 아직은 한계가 있다고 지적한다. EE타임즈는 25일 “(업체들이) 메모리 장치를 만들기 위해 장비를 제조하는 데 투자할 것 같지는 않고, 그들은 프리미엄 가격을 지불하는 데 관심이 없다”며, D램에 투자하는 비용이 새로운 메모리에 투자하는 것보다 더욱 경제적이라고 보도했다.
마이크론 테크놀로지의 고급 컴퓨팅 솔루션 담당 부사장인 스티븐 파울로프스키는 “(아직) D램의 신뢰성, 속도, 내구성을 가진 것은 없다”며, “재료 관점에서 복잡할 뿐 아니라 온도, 다중 주기 및 다양한 작업 부하에서 어떻게 작동하는지 이해가 필요하다”고 설명했다.
하지만 구글, 페이스북, 아마존 등의 업체들이 요구하는 차세대 하이퍼스케일 데이터 센터 구축을 위해서는 차세대 메모리의 개발이 필수적이다. 업계는 현재 ‘미중 무역전쟁’이나 ‘한일 무역갈등’의 영향으로 반도체 시장이 침체됐지만, 글로벌 이슈가 해결되면 반도체 업계는 차세대 메모리 반도체 개발을 위한 치열한 경쟁이 시작될 것으로 보고 있다. 국내의 삼성전자와 SK하이닉스, 미국의 마이크론과 인텔, IBM, 웨스턴디지털 등이 대표적인 플레이어로 주목받고 있다.
글로벌파운드리의 임베디드 메모리 담당 선임 이사인 마틴 메이슨은 “M램과 P램 모두 데이터 센터의 컴퓨팅 집약적인 애플리케이션(서버 팜에서 수행되고 있는 메인스트림 AI 프로세싱 포함)와 관계가 있다”며, “그 공간에 새로운 메모리 기술이 배치되는 것을 보기 시작하고 있다. 이 시점에서 (새로운 메모리 기술이) 진정으로 상업적으로 이용된 것은 없다고 생각하지만, M램과 P램 모두 그러한 애플리케이션에서 S램을 대체하기 위한 다양한 고밀도 메모리 기술로 간주되고 있다”고 설명했다.
P램의 하나로 알려진, 인텔과 마이크론이 함께 개발한 차세대 메모리 3D Xpoint(사진= 인텔, 마이크론)
IoT를 위한 M램…클라우드에 활용되는 R램∙P램
컴퓨터 산업은 센서와 컴퓨터, 정보통신 기능 등이 통합되어 주변 환경을 모니터링하고 의사 결정을 내리며 그 결과를 클라우드 데이터센터에 전달하는 수백억 기기들로 이루어진 사물인터넷(IoT) 시스템을 구축하고 있다. M램은 IoT 기기의 소프트웨어, 인공지능(AI) 알고리즘을 저장하는 용도에 가장 적합한 메모리 후보 중 하나다.
M램은 일반적으로 하드디스크 드라이브에서 사용되는 고감도 자성 소재들을 포함하고 있다. M램은 본질적으로 비휘발성과 빠른 속도라는 특성을 지닌다. 따라서 전원이 제거되었을 때에도 소프트웨어와 데이터를 유지할 수 있고, 빠른 속도와 높은 반복 기록 횟수로 지금까지 레벨3 캐시에 사용되는 S램을 대체할 수 있을 것이다. M램은 IoT 칩의 BEOL(Back-End-Of-Line) 층 사이에 위치할 수 있어 M램을 위한 추가적인 다이 면적을 최소화할 수 있기 때문에 다이 소형화와 비용 절감이 가능하다.
데이터 양이 기하급수적으로 늘어남에 따라 클라우드 데이터센터는 서버와 저장 시스템 사이에 연결된 데이터 경로의 속도, 저장 시스템의 전력 소모를 수십 배 수준으로 개선해야 한다. R램과 P램은 서버용 D램과 저장장치 사이의 가성비 측면에서 그 격차를 채워줄 수 있는 일명 ’스토리지급 메모리(Storage Class Memory)’로 사용될 수 있다. 다시 말해 고속, 비휘발성, 저전력, 고밀도의 메모리다.
R램은 퓨즈와 유사한 기능을 하는 신소재를 사용한다. 수십억 개 스토리지 셀 중에서 원하는 각각의 셀에 선택적으로 필라멘트를 형성시키고 그로 인한 전기 전도도의 차이를 발생시켜 데이터를 저장한다. 반면 P램은 DVD 디스크에 이미 사용되는 상변화 소재를 이용한다. P램은 이 소재를 비결정질(amorphous)과 결정질(crystalline) 등으로 가역적으로 상변화시키고 그로 인해 발생된 상변화 소재의 저항 차이를 이용하여 정보를 저장한다. R램과 P램은 3D 낸드 플래시와 유사하게 3D 구조로 배열할 수 있어 메모리 제조사는 각 제품의 세대별로 메모리 레이어를 계속 추가하는 방식으로 메모리 용량을 지속적으로 증가시키고 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한 R램과 P램도 각각 한 셀 안에서 전기 전도도와 저항을 여러 단계로 변화시킬 수 있어 낸드 플래시처럼 각 메모리 셀에 여러 비트의 데이터를 저장하게 할 수 있다.
어플라이드 머티어리얼즈 관계자는 “R램과 P램 모두 낸드 플래시 메모리와 하드디스크보다는 현저히 빠른 읽기 성능과 함께 D램 보다 훨씬 저렴한 가격을 보장한다”며, “R램은 컴퓨팅 소자와 메모리 소자를 하나의 칩에 통합해 Al 컴퓨팅과 관련된 데이터 흐름의 병목현상을 극복할 수 있는 미래의 인메모리(in-memory) 컴퓨팅 아키텍처 분야에서 가장 유력한 차세대 주자”라고 설명했다.
어플라이드 머티어리얼즈, M램·P램·R램을 위한 새로운 장비 개발
지난 17일 어플라이즈 머티어리얼즈는 이런 차세대 메모리 개발을 위한 장비들을 대중에 공개했다. 어플라이드 머티어리얼즈가 공개한 장비는 차세대 메모리에 사용되는 핵심 물질인 새로운 금속 물질들을 원자층 단위의 정밀도로 증착할 수 있는 대량 생산 시스템이다.
엔듀라 클로버 M램 PVD 플랫폼(사진=어플라이드 머티어리얼즈)
M램 생산을 지원하는 어플라이드 머티어리얼즈의 새로운 엔듀라 클로버(Endura Clover) M램 PVD’ 플랫폼은 청정·진공 상태를 유지한 상태로 조합된 최대 9개의 독특한 웨이퍼 공정 챔버들로 구성된다. 이 플랫폼은 각각의 챔버당 최대 5개 개별 물질 박막을 증착할 수 있는 대량 생산용 300mm M램 시스템이다.
M램은 진공을 유지한 상태로 최소 30층 이상의 정밀한 박막의 연속 증착이 요구된다. 그중 일부는 사람의 머리카락보다 50만 배 얇은 것도 있다. 또한 원자 지름 정도의 작은 두께 변화가 전체 메모리 소자의 성능과 신뢰도에 중대한 영향을 미칠 수 있다. 어플라이드 머티어리얼즈는 자사의 플랫폼에 대해, 증착한 박막들의 두께를 외부 대기에 노출될 위험 없이 1옹스트롬(1Å=0.1nm) 이하의 정밀도로 측정 및 모니터링해 원자 수준의 박막 균일도를 보장하는 내장형 계측기를 탑재하고 있다고 설명했다.
탐 스파크맨 스핀 메모리 CEO는 “매우 빠른 속도와 높은 반복 기록 횟수를 지닌 비휘발성 메모리로서 M램은 IoT, AI 분야에서 기존 내장형 메모리에 사용되는 플래시와 레벨3 캐시에 쓰이는 S램을 대체할 것으로 전망된다”고 말했다.
또한 P램과 R램을 위한 엔듀라 임펄스(Impulse) PVD 플랫폼은 차세대 메모리에 사용되는 다성분계 소재의 정밀한 증착과 통제가 가능하게 해주는 내장형 계측기(OBM)와 함께 최대 9개 웨이퍼 공정 챔버들로 구성된다.
조지 미나시안 크로스바 CEO 겸 공동창업자는 “R램 메모리에 사용된 신소재들의 균일한 증착은 소자의 성능과 신뢰성, 반복 기록 횟수를 실현 가능한 최대치로 끌어올리는 데 있어 결정적인 요소다. 우리는 메모리와 로직 고객들과의 R램 기술 협력을 위해 내장형 계측기를 탑재한 어플라이드 머티어리얼즈 E 시스템을 채택했다. 왜냐하면 이 시스템은 앞서 언급한 중요 업무들에 획기적 성과를 실현 가능하게 해줄 수 있기 때문”이라고 말했다.
엔듀라 임펄스 PVD 플랫폼(사진=어플라이드 머티어리얼즈)
“가격만 맞으면, 차세대 메모리 투자 늘어날 것”
업계 관계자들은 차세대 메모리 기술이 데이터 센터의 효율을 개선하고 AI 성능을 향상 시킨다고 말한다.
진성곤 SK 하이닉스 첨단 박막 기술 담당은 “데이터센터의 효율 개선은 클라우드 서비스를 제공하는 사업자와 고객 기업들이 가장 우선시하는 사안 중 하나”라며 “SK하이닉스는 기존 D램, 낸 플래시 관련 기술을 지속적으로 혁신하는 한편, 데이터 센터의 성능을 대폭 향상시키고 동시에 소비전력을 낮추는데 도움을 줄 수 있는 차세대 메모리의 개발을 주도하고 있다”고 말했다.
IBM 리서치의 무케시 카레 반도체∙Al 하드웨어∙시스템 부사장은 “IBM은 오랫동안 차세대 메모리의 연구 개발을 선도해 왔다. 우리는 Al 시대의 요구를 충족시키기 위해 반도체 칩 성능과 전력 효율을 동시에 개선하는 기술 수요가 증가하고 있음을 알고 있다. 새로운 물질과 소자는 IoT, 클라우드, AI 제품이 요구하는 고성능∙저전력 내장형 메모리 구현에 중요한 역할을 할 수 있다”며, “어플라이드 머티어리얼즈의 대량 생산 솔루션은 차세대 메모리의 현실화를 산업 전반에 걸쳐 빠르게 가속화하는 것에 도움이 될 수 있다”고 밝혔다.
리차드 뉴 웨스턴 디지털 리서치 부사장은 “AI, 머신 러닝, IoT 분야에서의 진보가 복잡하고 데이터 집약적인 워크로드를 증가시킴에 따라 메모리 기술에서 새로운 혁신은 효과적으로 이를 해결해야 한다”고 말했다.
업계는 메모리 생산 업체나 파운드리 업체들이 차세대 메모리에 기반한 장치에 대한 연구가 활발한 만큼, 반도체 경기의 부진 속에서도 혁신적인 제품 개발에 대해 기대하고 있다.
어플라이드 머티리얼스의 마헨드라 파칼라 전무는 “AI 애플리케이션에서 많은 관심을 받고 있는 것으로 알려진 메모리 중 하나는 고대역폭 메모리 2.0(HBM2)으로, 전통적으로 고급 그래픽과 고성능 컴퓨팅에 사용되어 왔다. 제조 관점에서 성숙해졌지만, 여전히 상대적으로 비싸다”며, “3D XPoint 형태의 P램은 M램과 마찬가지로 상업적으로 채택되고 있다”고 말했다. “둘 모두 성숙하고 있으며, 비트당 비용을 절감하고 있다”며, “가격을 낮출 수 있는 길이 보인다”고 덧붙였다.
글로벌파운드리의 메이슨은 “가격만 맞으면 업계에서 진정으로 파괴적인 무언가를 개발하기 위해 기꺼이 투자할 의사가 있을 것”이라며, “그런 식으로 차세대 메모리 중 일부는 중요한 돌파구가 만들어지는 것을 보는 것 같다”고 말했다.
키워드에 대한 정보 차세대 메모리
다음은 Bing에서 차세대 메모리 주제에 대한 검색 결과입니다. 필요한 경우 더 읽을 수 있습니다.
이 기사는 인터넷의 다양한 출처에서 편집되었습니다. 이 기사가 유용했기를 바랍니다. 이 기사가 유용하다고 생각되면 공유하십시오. 매우 감사합니다!
사람들이 주제에 대해 자주 검색하는 키워드 042 차세대 메모리
- 반도체
- 면접
- 반도체직무
- 시대고시
042 #차세대 #메모리
YouTube에서 차세대 메모리 주제의 다른 동영상 보기
주제에 대한 기사를 시청해 주셔서 감사합니다 042 차세대 메모리 | 차세대 메모리, 이 기사가 유용하다고 생각되면 공유하십시오, 매우 감사합니다.