이미지 센서 원리 | 반도체 기업 취업 준비에 최적화된 반도체 제품(Cmos 이미지센서)-전)삼성전자 System Lsi출신 엔지니어 직강-앤디솔 9874 좋은 평가 이 답변

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이미지센서는 피사체 정보를 읽어 전기적인 영상신호로 변환해주는 장치입니다. 즉 빛에너지를 전기적 에너지로 변환해 영상으로 만드는데 카메라의 필름과 같은 역할을 합니다.

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[5장] 이미지센서의 원리와 종류(CMOS, CCD)

CMOS 이미지 센서는 반도체 소자를 이용해 빛의 세기를 측정합니다. 반도체라는 것은 전압을 걸지 않으면 부도체가 되고, 전압을 걸면 전기가 흐르는 도체 …

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Date Published: 9/7/2022

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이미지센서(CCD, CMOS) – ITFind

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이미지 센서 CCD vs CMOS – 편하게 보는 전자공학 블로그

먼저 DSLR의 원리부터 보고 가겠습니다. DSLR은 디지털 일안 반사식 카메라(digital single-lens reflex camera)로 필름대신 이미지센서인 CCD나 CMOS를 …

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CMOS 이미지 센서: 5가지 요약 정보

CMOS 이미지 센서의 작동 원리 : … 일반적으로 네 가지 유형의 절차를 사용할 수 있습니다. … 이 프로세스와 다른 프로세스의 가장 분명한 차이점은 고정 된 포토 다이오드 …

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Date Published: 12/25/2022

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주제에 대한 기사 평가 이미지 센서 원리

  • Author: Park Jaewoo
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  • Date Published: 2020. 9. 3.
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찰칵! 빛을 디지털 이미지로 만드는 ‘CMOS 이미지센서(CIS)’

‘찰칵’, 아름다운 순간과 잊지 못할 추억을 간직해주는 카메라. 불과 몇십 년 전만 해도 카메라가 귀하고 신기했던 시절이 있었습니다. 하지만 이제 카메라는 널리 그리고 많이 보급된 기록매체 중 하나입니다.

특히 필름 카메라에서 디지털카메라의 발전은 우리 생활에도 큰 변화를 가져왔습니다. 콤팩트형의 소형 카메라에서 전문가용 고사양 DSLR까지 그 종류도 다양해졌고 휴대폰, 태블릿PC, CCTV, 블랙박스에 이르기까지 다양한 기기에 카메라 기술이 적용됐습니다.

▲ 디지털카메라 속 반도체 기술

이렇게 우리의 소중한 추억을 기록해주는 디지털카메라에도 반도체 기술이 숨어 있습니다. 렌즈를 통해 들어오는 빛을 전기적인 영상 신호로 바꿔 주는 CMOS 이미지센서(CIS), 이미지 신호를 처리하는 이미지 신호 처리 장치(ISP), 데이터 처리속도를 빠르게 해주는 D램, 사진파일을 저장하는 낸드플래시 등 많은 반도체가 우리 카메라에서 중요한 역할을 하는데요.

오늘은 카메라의 필름 역할을 하는 ‘CMOS 이미지센서’에 대해 알아보겠습니다.

카메라의 필름역할을 하는 ‘이미지센서’

디지털카메라에는 여러 반도체 기술이 필요하지만, 가장 중요한 역할을 하는 부품이 바로 ‘이미지센서’입니다. 이미지센서는 피사체 정보를 읽어 전기적인 영상신호로 변환해주는 장치입니다. 즉 빛에너지를 전기적 에너지로 변환해 영상으로 만드는데 카메라의 필름과 같은 역할을 합니다.

쉽게 말해 렌즈를 통해 들어온 빛을 전기적 디지털 신호로 변환해주는 역할로, 영상신호를 저장하고 전송해 디스플레이 장치로 촬영한 사진을 볼 수 있도록 만들어 주는 반도체입니다. 이러한 이미지센서가 사용되는 디지털카메라는 일반 필름카메라와 달리 필름, 인화 과정을 필요로 하지 않는데요. 사진을 찍은 후 바로 디스플레이 화면에서 사진을 확인하거나 삭제할 수 있는 것이죠!

이미지센서는 응용 방식과 제조 공정에 따라 CCD 이미지센서와 CMOS 이미지센서로 나눌 수 있습니다. CCD 이미지센서는 전자 형태의 신호를 직접 전송하는 방식으로 아날로그 제조 공정이 사용되는데요.

CMOS 이미지센서 대비 노이즈가 적다는 장점을 가지고 있습니다. 반면 CMOS 이미지센서는 신호를 전압 형태로 변환해 전송하는 방식으로 CMOS 제조 공정이 사용되어 가격경쟁력이 있다는 장점이 있습니다.

이러한 특징 때문에 과거 CCD 이미지센서는 디지털카메라에 사용되고, CMOS 이미지센서는 주로 휴대폰에 사용됐습니다.

하지만 휴대폰, 태블릿PC 등 카메라 기능이 탑재된 모바일 기기의 시장이 확대되면서 핵심 부품으로 CMOS 이미지센서가 주목받기 시작했습니다. 특히 모바일 기기는 전력 소비를 줄이는 것이 중요한데 이는 배터리 사용 시간 연장과 직결되기 때문입니다. 때문에 CCD 이미지센서 대비 저전력 공정으로 소비전력에서 강점을 가지는 CMOS 이미지센서가 핵심 부품으로 떠오르게 된 것입니다.

또한, CMOS 이미지센서는 노이즈 등 성능이 매우 개선되고 동영상 지원 기능과 가격 측면에서도 지속적인 우위를 가지면서 최근에는 DSLR 카메라에도 많이 탑재되고 있습니다.

이외에도 CMOS 이미지센서는 CCD 이미지센서에 비해 많은 장점을 가지고 있는데요, 일반 반도체 공정인 CMOS 공정을 사용하기 때문에 가격 경쟁력을 가지며 이미지센서와 주변 회로를 원칩화할 수 있어 소형화 및 관리가 용이합니다.

CMOS 이미지센서의 혁신, ISOCELL

일반적으로 이미지의 화질은 센서를 구성하는 각 픽셀(Pixel, 화소)에 모이는 빛의 양에 많은 영향을 받습니다. 최근 CMOS 이미지센서의 칩 크기는 작아지고 픽셀 수는 늘어나 픽셀의 크기가 계속 작아지고 있는데요. 작은 픽셀일수록 충분한 빛을 흡수하기 어려워 CMOS 이미지센서 기술은 ‘수광율(이미지센서가 빛을 받아들이는 정도)’을 높이는 방향으로 발전해 왔습니다.

그래서 기존 후면조사형(BSI) 센서는 ‘수광부(빛을 받아들이는 부분)’를 센서의 가장 윗부분으로 옮겨 ‘수광율’을 높여 왔는데요, 하지만 픽셀의 크기가 계속 작아짐에 따라 최근 한계에 봉착했습니다.

이에 작년 9월 삼성전자는 업계 최초로 기존 CMOS 이미지센서의 성능 한계를 극복한 ‘아이소셀(ISOCELL)’ 개발에 성공했는데요,

‘아이소셀(ISOCELL)’은 ‘격리하다(isolate)’와 ‘세포(cell)’의 뜻이 합쳐진 어원으로, 용어에서도 알 수 있듯이 픽셀과 픽셀 사이에 절연부를 형성해 인접한 픽셀들을 서로 격리시키는 구조입니다. 즉 이미지센서를 구성하고 있는 수백만 개의 픽셀 각각의 테두리에 물리적인 벽을 세워 픽셀로 들어온 빛이 밖으로 나가지 않도록 하는 첨단 이미지센서 기술인데요,

각 픽셀에 들어온 빛이 주변 픽셀에 영향을 주는 ‘간섭현상’을 최소화해 빛의 손실을 줄인 것이 특징입니다. 때문에 빛이 적은 어두운 공간에서도 보다 깨끗한 이미지를 얻을 수 있어 모바일기기 사용자들의 카메라 성능 만족도를 더욱 높일 수 있답니다.

삼성전자는 이번 MWC 2014(Mobile World Congress)에서 아이소셀을 기반으로 한 1600만 화소 이미지센서와 적층형 구조의 1300만 화소 이미지센서를 새롭게 공개하며 모바일 이미지센서 분야의 기술 리더십을 더욱 강화하고 있습니다. 우리의 소중한 추억 순간순간을 간직해주는 반도체, ‘이미지센서’의 활약을 앞으로도 기대해주세요~!

원문 링크: http://samsungsemiconstory.com/642

[5장] 이미지센서의 원리와 종류(CMOS, CCD)

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오늘은 이미지 센서에 대해 이야기해보겠습니다.

21세기에 가장 훌륭한 과학자가 누구로 선정되었는지 혹시 아시나요? 바로 아인슈타인입니다. 아인슈타인 상대성 이론으로 더 유명하지만, 빛의 광전효과를 증명한 것으로도 유명한데요. 오늘날 우리가 카메라를 이용해 사진을 찍거나, 휴대폰으로 동영상 촬영할 할 수 있었던 이유는 다 아인슈타인이 저 광전 효과를 증명했기 때문입니다.

아인슈타인(출처: 위키피디아)

1. 이미지 센서의 원리

카메라로 빛 정보를 처리하려면 빛 정보를 숫자 정보로 바꿔주는 매개체가 있어야 합니다. 그것이 센서의 역할입니다. 광양자 이론에 의하면 빛 안에는 광양자가 빛의 세기만큼 존재하고 이 빛이 금속판을 쏘면 광양자에 비례에서 금속판에서 전자가 나옵니다. 금속판에서 전자를 측정만 할 수 있다면 그게 센서가 되는 것입니다. 당연히 광양자에 잘 반응하는 금속판이 있다면 센서의 성능이 더 좋겠죠? 센서 회사에선 센서의 성능을 높이기 위해서 광양자가 잘 반응하는 재질의 금속판을 만들기 위해 많은 노력 한답니다.

아인슈타인의 광양자 이론(출처: 위키피디아)

센서라는 것은 단순히 빛의 세기를 측정하는 ‘금속판’입니다.

2. 이미지 센서의 구조

자 이제 원리는 알았으니, 이미지 센서의 구조에 대해 이야기해봅시다. 렌즈와 셔터 아이리스에 의해 모아진 빛이 이미지 센서에 닿게 된다는 건 다 아실 것입니다. 이미지 센서에도 이 빛들을 금속판 위에서 잘 모아 주기 위해 마이크로 렌즈가 존재합니다. 마이크로 렌즈가 없다면 빛이 퍼져서 들어와 제대로 감광이 잘 되지 않을 것입니다.

이미지 센서의 구조(하늘색: 마이크로 렌즈, 빨간/초록/파랑색: 필터)(출처: 위키피디아)

그리고 여기서 빛의 세기만 측정하면 단순히 흑백 영상이겠죠? 칼라 이미지를 얻기 위해서 추가적인 작업을 합니다. 금속판의 셀에 칼라 필터를 넣어서 빨간색 필터는 빨간색 성분의 빛만 통과시키고 나머지 초록색/파란색 필터는 각각 초록 파란색 성분의 빛만 통과를 시킵니다. 제일 금속판의 마지막단에 전위를 측정할 수 있는 전자 회로가 있어서 빛의 세기를 측정할 수 있는 것입니다.

이 통과 시킨 빛이 필터 모양 그대로 빛 정보가 센싱이 되기 때문에 센싱된 정보만 보면 모자익 된 이미지(Bayer Pattern)와 같습니다.

Color Filter Array(Bayer pattern)-출처: 위키피디아

모자익된모자익 된 이미지는 아직 제대로 볼 수 있는 단계가 아닌데요. ISP가 이 모자익 된 이미지를 받아서 사람이 보는 영상처럼 보정을 해야 합니다.

(ISP에 대해선 다른 장에서 다루겠습니다.)

3. 이미지 센서의 종류

그리고 센서는 크게 CCD 센서와 CMOS 센서가 존재합니다.

3-1. CCD

먼저 CCD에 대해 이야기해볼 텐데, CCD는 chared coupled device의 약어로 벨 연구소에서 개발이 되었는데요.

CCD Image Sensor(출처: 위키피디아)

CCD가 동작하는 방식은 금속판에 쌓인 전하를 컨베이너 벨트 움직이듯 하나씩 옆으로 옮기고, 마지막에는 전하를 측정 회로가 하나만 있어서, 그 회로가 옮겨진 전하들을 하나씩 측정합니다. 이것이 어떻게 가능할까요? 빛의 세기만큼 금속판에서 튀어나온 전자는 양전하 쪽으로만 이동이 가능합니다. 그래서 임의로 전자 옆에 낮은 전압을 걸어 놓게 되면 이 전자는 움직이지 못하게 됩니다. 이러한 원리를 이용해 여기는 일부러 전압을 높게 걸고 저기는 전압을 낮게 걸어서 전자를 한 칸씩 이동하게끔 유도를 하는 것입니다. 그릇이 있다고 가정하면 이 그릇에 전하가 쌓이고 때가 되면 옆으로 하나씩 전하가 이동된다고 생각하시면 됩니다! 마지막에는 빛의 세기를 측정하는 회로가 하나 있습니다.

CCD/ CMOS의 동작원리를 알려주는 사이트가 있습니다! 원리를 동영상으로 확인해볼까요?

CCD/CMOS 동작 원리(출처:유튜브)

CCD의 장점은 전위를 측정하는 회로 장치가 하나이기 때문에 일관된 품질로 전하량을 측정할 수 있는 장점이 있습니다. 그래서 CMOS 센서보다 노이즈가 적어 저조도 특성에 좋고 *감도가 좋습니다. (센서 *감도란 입력 신호 그대로 출력 신호로 재현해낼 수 있을 때 좋다고 이야기합니다.) 대신에 소비전력이 크고 회로도가 복잡한 단점이 있습니다. 과거에는 CMOS 센서가 성능이 너무 좋지 않아서, CCD를 사주로 용해 왔지만, CMOS 반도체 공정 기술과 센서 기술이 크게 발전됨에 따라 요즘은 대부분 CMOS 이미지 센서를 사용합니다. CCD 센서의 동작 방식 때문에 CCD 센서에서만 관찰되는 현상이 있습니다.

CCD:Smearing Effect (출처: 위키피디아)

CCD는 전하를 옆으로 한 칸씩 이동시킵니다. 특정 셀에서 빛을 많이 받는 다면 그 전하가 바로 옆에 전하로 흘러 들어가 버릴 수 있답니다. 그러면 그 라인은 전부 포화가 되겠죠? CCD의 동작 방식 때문에 이러한 현상이 관찰되곤 합니다. 다음 시간엔 CMOS에 대해서 이야기해보겠습니다.

3-2. CMOS

CMOS 이미지 센서는 반도체 소자를 이용해 빛의 세기를 측정합니다. 반도체라는 것은 전압을 걸지 않으면 부도체가 되고, 전압을 걸면 전기가 흐르는 도체가 되는 것을 말합니다.

CMOS Image Sensor(출처: 위키피디아)

CMOS는 CCD와 같이 전하를 하나씩 옆으로 이동시켜서 측정하는 방식이 아니라, 셀마다 반도체 회로가 있고 전압을 걸어 측정값을 한 번에 병렬로 읽는 방식입니다. 병렬로 읽기 때문에 CCD와 달리 빛의 세기를 측정하는 회로 장치가 셀 마다 전부 존재를 합니다.

CMOS 이미지 센서의 장점은 무엇일까요?

1) 소비 전력이 작습니다.

2) 반도체 공정 기술만 있다면 저비용 대량생산이 가능합니다.

3) 발열이 적습니다.

4) 병렬로 처리하기 때문에 고속 처리가 가능합니다.

그러면 단점은 무엇일까요?

1) 빛의 세기를 측정하는 장치가 셀 마다 있는 게 큰 단점입니다! 아무리 공정상에 동일한 빛의 세기를 측정하는 회로를 설계했다 하더라도, 재질의 편차, 공정상의 편차, 물리적인 편차는 어쩔 수없이 존재하게 됩니다. (그래서 센서 데이터 시트를 보면 편차 -00%~00%가 존재한다고 항상 명시되어있습니다.) 그 말은 셀마다 전위를 측정하는 방식에 조금씩 편차가 있어 영상의 품질을 일관되게 측정하는 것이 어렵다는 말입니다.

그래서 CMOS 센서는 감도가 낮습니다. CCD는 전위를 측정하는 회로가 하나라서 이러한 문제를 전혀 고려하지 않아도 됩니다. 2) 또 암 전류가 잔존하여 노이즈가 많이 생기는 문제가 있습니다. 당연히 저조도에 취약합니다. 광전 효과가 아주 오래전 아인슈타인에 의해 증명 되었지만, 품질상의 이유로 초기엔 CCD 이미지 센서를 사용한 카메라가 대다수였습니다.

하지만 센서 회사들의 독자적 기술들이 끊임없이 발전하고 CMOS 이미지 센서의 기술도 비약적으로 향상되면서 CCD가 재현해 낼 수 있는 성능만큼 CMOS 이미지 성능이 향상이 되었습니다. CCD의 장점을 CMOS가 전부 극복해내기 시작하면서, CCD를 사용하는 카메라도 점차 줄어들게 되었습니다. (CMOS 이미지 센서의 경우 위에서 얘기한 것처럼, 대량 생산이 쉽고 소비전력이 적기 때문에 요즘 카메라는 CMOS 이미지 센서를 대다수 채택하고 있답니다.) CMOS와 작동 방식 때문에, 그 특성에 의해서 CMOS 센서에서만 재현되는 문제있답니다. 태양과 같이 강한 광원이 있을 때 CMOS 센서는 Black Sun Effect가 관찰이 됩니다.

Black Sun Effect (출처: envision)

[참조]

https://www.envision.co.kr/ko/support/knowledge/detail.asp?iBOARD_CONT_NO=222&&sKeywordKind=&sKeyword=&sKIND_TYPE=

한 셀에서 밝다고 인식하는 경우는 전위차가 클 때, 밝다고 인식을 하는 것입니다! 전위차란 base가 되는 전위와 측정된 값의 차이를 의미합니다.

하지만 저런 상황에선 전하가 넘쳐흘러 넘치면 base가 되는 전위도 함께 넘칠 수가 있습니다. 그러면 전위차가 0이 되어버려서 그 셀은 까맣게 인식하는 것이랍니다. 신기하죠?

오늘 배운 내용 정리해보겠습니다.

CCD CMOS 장점 1) 센서 감도가 좋다

2) 노이즈가 적다 1) 소비전력이 적다.

2) 반도체 공정으로 대량 생산에 용이하다.

3) 병렬 방식 데이터 처리로 고속 영상처리가 가능하다. 단점 1) 소비 전력이 크다

2) 대량 생산에 적합하지 않다

3) 주변회로가 복잡하다.

4) 영상 처리속도가 느리다. 1) 센서 감도가 좋지 않았다.(최근엔 CCD 수준까지 개선)

2) 암전류에 의한 노이즈가 많다.

자 오늘은 여기까지입니다.

이미지 센서 CCD vs CMOS

학부 인턴을 하면서 공부했던 CCD 와 CMOS에 대해서 써보겠습니다.

CCD와 CMOS는 이미지센서인데 디지털 카메라에 사용됩니다.

이미지는 제가 발표할 때 썼던 자료입니다.

먼저 DSLR의 원리부터 보고 가겠습니다.

DSLR은 디지털 일안 반사식 카메라(digital single-lens reflex camera)로 필름대신 이미지센서인 CCD나 CMOS를 사용한 디지털 카메라입니다.

먼저 관찰자는 뷰파인더를 통해 물체를 봅니다. 물체에 반사된 빛이 렌즈로 들어오고

45도 기울어진 거울을 통해 반사되어 펜타 프리즘을 거쳐 관찰자의 눈에 도달하여 물체를 뷰파인더를 통해 볼 수 있습니다.

펜타프리즘은 물체의 상이 거울에 반사되어 반대로 보이는걸 방지해줍니다.

관찰자가 카메라의 버튼을 누르면 거울이 순간적으로 위로 붙게 됩니다.

그러면 관찰자는 순간적으로 뷰파인더를 통해 물체의 상을 보지 못하고(거울이 위로 붙어 반사되지 못함)

물체의 상은 렌즈를 통해서 이미지 센서로 도달하게 됩니다.(거울이 위로 붙어 반사되지 않고 통과함)

요새 많이 사용하는 미러리스 카메라 입니다.

미러리스는 미러와 펜타프리즘을 제거하여 크기와 무게를 줄인 카메라입니다.

원리는 항상 셔터가 열려있는 상태에서 물체에 반사된 빛이 렌즈를 지나고 셔터를 지나 이미지 센서로 들어갑니다.

그래서 관찰자는 디스플레이를 통하여 물체를 볼 수 있고 관찰자가 버튼을 누르면 순간적으로 셔터가 닫혔다가 열렸다가 닫혔다가 다시 열립니다.

이 닫혔다가 열렸다가 닫히는 순간 들어온 빛이 이미지가 되어 저장되는 것입니다.

DSLR, 미러리스의 셔터 과정은 아래의 링크에서 시각적으로 쉽게 확인할 수 있습니다.

How Do Camera Shutters Work?

CCD, CMOS의 원리를 잘 설명해주는 유튜브 영상입니다.

CCD(Charge Coupled Device)는 빛에너지로 발생한 전하를 축적 후 전송하여 최종단에서 전하가 전기신호로 증폭되어 전환됩니다.

여기서 Photo Diode는 빛에너지를 전하로 바꾸어주는 역할을 합니다.

LED는 전하와 정공이 만나 빛에너지를 방출하는데 반대로 생각하시면 편할 거 같습니다.

CMOS(Complimentary Metal Oxide Semiconductor)는 빛에너지로 발생된 전하를 바로 전기신호로 증폭하여 전송합니다.

CMOS는 전하를 전송하는 소자가 아니라 디지털 신호를 전송하기 위해 개발된 소자여서 전하의 손실이나 변형이 있습니다.

하지만 기술의 발전으로 노이즈 특성을 제외하곤 화질의 차이는 거의 극복한 상태입니다.

CMOS는 일반 반도체 공정인 CMOS 공정을 사용하여 가격 경쟁력이 있고 이미지 센서와 주변 회로를 원칩화 할 수 있어 소형화와 관리에 유용합니다.

CMOS는 집적도가 높고 저전력이라 스마트 기기 시장에서 많이 사용됩니다.

마지막으로 CCD, CMOS 장단점을 정리한 표입니다.

최근 CMOS의 단점이 많이 개선되고 낮은 전력 소비, 발열량, 제조단가로 CCD보다는 CMOS가 계속 많이 쓰일 것으로 생각됩니다.

CMOS 이미지 센서: 5가지 요약 정보 – Lambda Geeks

내용

CMOS 이미지 센서 란?

다른 유형

작동 원리

설계

아키텍처

표지 이미지 – 잭 슈치 너, Nerd-Tographer 데스크 장식 (9698639550), 2.0 BY CC

CMOS 이미지 센서 란?

CMOS 이미지 및 컬러 센서 :

CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 이미지 센서는 작은 광전류를 디지털 신호로 증폭하는 기능을 갖춘 광 다이오드와 혼합 신호 회로로 구성됩니다. CMOS 이미지 센서는 디지털 비디오 카메라, 사진 스캐너, Xerox 기계, 인쇄 및 기타 다양한 사진 관련 응용 프로그램에 대한 최고의 비판 중 하나입니다. 오늘날 CMOS는 다중 사용으로 인해 활용되고 있으며 CCD에 비해 감도가 제한되어 있어도 간단한 제작 기술입니다.

CMOS 컬러 센서 토폴로지의 세 가지 유형, 즉 트랜스 임피던스 증폭기 (TIA), 광-주파수 변환기 및 광 통합에 대해 설명합니다.

CMOS 이미지 센서의 작동 원리 :

일반적으로 네 가지 유형의 절차를 사용할 수 있습니다.

표준 CMOS,

아날로그 혼합 신호 CMOS,

디지털 CMOS 및

CMOS 이미지 센서 프로세스.

이 프로세스와 다른 프로세스의 가장 분명한 차이점은 고정 된 포토 다이오드와 같은 사진 장치의 가용성입니다. 더 작은 차원 기술의 장점은 더 작은 픽셀, 높은 공간 해상도 및 낮은 전력 소비입니다. 100nm 미만의 기술은 제조 프로세스 (디지털 로드맵을 따르지 않음) 및 픽셀 아키텍처를 수정해야합니다.

누설 전류 (빛에 대한 민감도에 영향을 미침) 및 작동 전압 (다이나믹 레인지, 즉 포화에 영향을 미침)과 같은 기본 매개 변수는 공정이 다음과 같은 경우 저전압에서 작동하지 않을 가능성이 매우 높습니다. CIS 개발을 위해 선택되었습니다. 이러한 제한으로 인해 새로운 회로 기술이 도입되었습니다.

1. 표준 픽셀 회로와 같은 구형 회로는 0.1 미크론 이하 사용시 사용할 수 없습니다. 이는 고전압이 필요한 토폴로지 때문입니다. 이제 최대 공급 전압이 낮아 졌기 때문입니다.

2. 보정 회로와 제거 회로는 일반적으로 노이즈를 줄이기 위해 사용됩니다.

해상도를 수백만 화소와 수백 개의 프레임 속도로 높이기 위해 일반적으로 더 낮은 차원의 기술이 선택됩니다. 분명히 0.13 미크론과 0.18 미크론은 좋은 이미징 성능을 달성하기에 충분하다고보고되었습니다.

CMOS 프로세스의 이러한 수정은 이미징 특성을 개선하기 위해 0.25 마이크론 이하에서 시작되었습니다. 공정 스케일링이 0.25 미크론 이하보다 훨씬 낮을 것이므로 몇 가지 기본 매개 변수, 즉 광 반응성 및 암전류가 저하됩니다. 따라서 수정은 이러한 매개 변수 저하를 완화하는 데 중점을 둡니다. 시스템 요구 사항 (예 : 공급 전압 및 온도)도 적합한 프로세스를 선택하는 기준 중 하나입니다.

도구 가격과 개발 비용도 프로세스 선택을 결정합니다.

Photo Detetor 장치

전형적인 광 검출기 장치는 포토 다이오드입니다. 그리고 포토트랜지스터. 일반적인 포토다이오드 소자는 N+/Psub, P+/N_well, N_well/Psub, P+/N_well/Psub(백투백 다이오드)[9]입니다. 광트랜지스터 소자는 P+/n_well/Psub(수직형 트랜지스터), P+/N_well/P+(측면형 트랜지스터), N_well/gate(연결형 광트랜지스터)입니다.

이러한 표준 사진 장치에는 여전히 마이크로 렌즈와 컬러 필터 어레이가 필요합니다. 표준 CMOS에서 포토 다이오드의 양자 효율은 일반적으로 0.3 미만입니다.

수정 된 CMOS 공정을 위해 일반적으로 개발되는 장치는 포토 게이트, 핀드 포토 다이오드 및 비정질 실리콘 다이오드입니다. 이 장치는 CIS의 감도를 향상시킵니다. 암전류가 낮은 핀형 포토 다이오드는 CIS에 우수한 이미징 특성을 제공합니다.

포토 디바이스는 기생 커패시턴스를 나타내므로 설계 과정에서 고려해야합니다. N_well / Psub의 기생 커패시턴스의 예는 다음과 같습니다.

C 사진 = (영역 당 커패시턴스) × 포토 디바이스 영역.

CMOS 이미지 센서의 설계 방법론 :

CMOS 이미지 센서의 일반적인 설계 흐름은 다음과 같습니다.

CMOS 이미지 센서의 일반적인 설계 흐름

광학 시뮬레이션을 위해 파동 전파 시뮬레이션을 수행 할 수 있습니다. Synopsys 및 Silvaco와 같이 상업적으로 사용 가능한 기술 컴퓨터 지원 설계 도구를 사용하여 광 장치의 프로세스 또는 기술을 시뮬레이션 할 수 있습니다. 컴퓨터 지원 설계 기술과 픽셀 수준 시뮬레이션을 결합한 작업 (혼합 모드 시뮬레이션)이 있습니다.

픽셀 전기 시뮬레이션에 사용할 수있는 많은 전자 설계 자동화 도구가 있습니다. 이러한 전자 설계 자동화 도구는 모든 집적 회로 (IC) spectre, SPICE, Verilog-A 및 Verilog와 같은 설계 도구. 이러한 도구는 픽셀 수가 많은 경우 시간이 오래 걸릴 수 있습니다.

실제로, 깊은 서브 마이크론 프로세스와 함께 큰 픽셀이 필요한 경우 더 많은 자본이 제공되어야합니다 (특히 90nm 미만의 매우 깊은 서브 마이크론의 경우 도구 비용이 더 비쌉니다). CMOS 파운드리가 지원되는 설계 도구에 대한 모델을 제공하지만 때로는 설계자가 CIS 사양에 맞게 자체적으로 하위 블록을 모델링해야합니다. 이것은 픽셀 전기 시뮬레이션 시간을 가속화 할 수 있지만 정확도를 떨어 뜨립니다. 시스템 시뮬레이션의 경우 VHDL-AMS, System-C 또는 MATLAB을 사용하여 전체 기능과 성능을 예측할 수 있습니다.

CMOS 이미지 센서 아키텍처 :

픽셀 레벨 ADC – 디지털 픽셀 센서(DPS)는 넓은 동적 범위를 제공합니다. DPS는 픽셀 범위 내에서 아날로그 값을 디지털 신호로 변환합니다. 처리는 픽셀 수준에서도 수행될 수 있습니다.

칩 레벨 ADC – 칩 수준 ADC 또는 때로는 매트릭스 수준 ADC가 아래 그림에 나와 있습니다.

매트릭스 수준 ADC

이 토폴로지의 ADC는 매우 빨라야하며이 토폴로지도 매우 높은 전류를 소비합니다. CIS 토폴로지에 적합한 ADC 유형은 파이프 라인 ADC입니다. 그러나 연속 근사 레지스터 (SAR) 및 플래시 유형 ADC도 CIS 설계에서보고되었습니다. 따라서 필요한 전체 전력 섭취와 작동 속도의 균형이 필수적입니다.

디지털 픽셀 센서 – DPS 개념은 CMOS 뉴런 자극 칩에 사용되는 솔루션과 유사합니다. 숫자의 DPS는 온칩 압축에 유용합니다. 포토 다이오드는 비교기 및 포토 다이오드 자체의 입력 커패시턴스를 방전하는 데 사용됩니다. 광도에 비례하여 방전됩니다. 이것이 임계 값에 도달하면 비교기의 O / P가 트리거됩니다.

CMOS 이미지 센서의 저전력 기술 :

바이어싱 방법: 하위 임계값 영역 또는 약한 반전 바이어싱은 낮은 전류 소비를 달성하기 위한 접근 방식 중 하나입니다. 이 기술은 작동 트랜스컨덕턴스에 적용될 수 있습니다. 증폭기 (OTA) 또는 ADC용 증폭기. XNUMX극관 영역 바이어싱을 사용하여 전력 소비를 더욱 줄일 수도 있습니다.

회로 기술: 회생 래치를 사용하여 디지털 전력 소비를 줄일 수 있습니다. 축소/스케일링 커패시터 파이프라인 단계(ADC용)에서도 전력 소비를 줄일 수 있습니다.

고급 전력 관리 기술 : 또 다른 유형의 바이어스 또는 회로 기술인 태양 에너지 수확과 같은 “스마트”접근 방식을 사용하여 전력 소비를 줄일 수도 있습니다. 필요한 판독 회로 만 선택적으로 켤 수도 있습니다. 또한 픽셀을 주기적으로 활성화하여 전력 소비를 더욱 줄일 수 있습니다.

CMOS 이미지 센서의 저잡음 기술 :

픽셀 수준에서 : 상관 이중 샘플링 및 오버 샘플링을 통해 열 노이즈를 줄일 수 있습니다. 플리커 노이즈는 대형 디바이스를 사용하고 트랜지스터를 주기적으로 바이어스하고 적절한 PMOS 기판 전압 바이어스를 사용하여 감소됩니다.

컬럼 레벨: 고정 패턴 노이즈를 줄이기 위해 오프칩 보정을 사용할 수 있습니다. 캘리브레이션은 적절한 선택을 위해 수행됩니다. 콘덴서 SAR ADC의 가중치.

ADC 레벨 : C에 적합한 값을 선택하면 kT / C 노이즈가 감소합니다. f 및 C s S / H 회로 및 버퍼의.

포토 다이오드 레벨 : 높은 변환 이득은 참조 입력 노이즈를 줄이는 데 도움이됩니다.

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