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온도가 상승하면 금속의 저항값은 직선적으로 증가하지만, 반도체는 급격하게 저항값이 감소한다. t1의 온도에서의 저항의 온도계수는 다음과 같다. R2=R1{1 + αt1(t2-t1)} [Ω] 이 된다.
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시나브로
[부사] 모르는 사이에 조금씩 조금씩
전기공학에 대하여 함께 알아가 보아요.~!
궁금한 사항이 있으시면 댓글 또는 e-mail 남겨주세요
가능한 부분에 대하여 영상 만들어 보도록 하겠습니다.^^
이재현:[email protected]
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저항기란? 저항 온도 계수 ① – ROHM Semiconductor
모든 물질은 온도 변화에 따라 내부의 저항치가 변화합니다. 저항기 역시 온도의 변화에 따라 저항치가 변화하며, 그 변화률을 저항 온도 계수라고 합니다. 단위는 ppm/℃ …
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Date Published: 8/7/2022
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저항의 온도 계수 : 공식 및 측정 방법
온도 저항 계수 (TCR)는 무엇입니까? · 저항의 양의 온도 계수. PTC는 온도가 상승하면 전기 저항도 증가하는 일부 재료를 말합니다. · 음의 온도 저항 계수. NTC는 온도가 …
Source: ko.jf-parede.pt
Date Published: 8/28/2021
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온도계수에 따른 저항의 변화 – Fire On The Candle
반도체는 부저항 온도 계수를 가진다. 전기히터는 온도가 올라가면 저항이 커져 전기가 잘 흐르지 않케 되어 안정적이라고 보면,.
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저항의 온도계수 – 물리 필기구
혹시 회로에 연결된 저항이 온도에 따라 변한다는 사실을 알고 있는가? … (직렬연결된 저항의 합성 온도 계수 공식이 궁금하신 분들께서는 …
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온도계수
반도체는 온도증가가 전자의 에너지 증가로 이동이 더욱 쉬워져 저항의 감소현상이 일어난다. 온도 변화에 따른 저항의 변화 정도를 저하의 온도계수라 한다. t1 에서의 …
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Date Published: 4/14/2021
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TCR Temperature Coefficient of Resistivity 저항 온도 계수
저항의 온도 의존성 ㅇ 저항은 물질 특성 및 온도에 따라 변화됨 – 도체 저항률 : 온도가 상승하면, 저항이 함께 상승 (+) – 반도체 저항률 : 온도가 …
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온도 저항 계수
저항 온도계 수 온도 변화 정도마다 모든 물질의 전기 저항 변화 측정입니다. 저항 R을 갖는 도체를 취해 봅시다.0 0시에영형C와 R티 ~에서 …
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Date Published: 7/7/2022
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주제에 대한 기사 평가 저항 온도계 수
- Author: 이재현[시나브로]
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- Date Published: 2020. 1. 8.
- Video Url link: https://www.youtube.com/watch?v=MpQLcd_LRy8
인생수업 경험의 공간들
온도의 상승에 따라 저항값도 커진다면 정비례(正比例 )–>(일반금속체)
온도의 상승에 따라 저항값은 반대로 작아진디면 반비례(反比例 )–>(반도체) 입니다.
님의 질문의 의도가 정비례(定比例 )의 의미라면 아래의 온도계수와 중간에 형광팬 을
참조하세요.
2-2 저항의 온도계수
온도가 상승하면 금속의 저항값은 직선적으로 증가하지만, 반도체는 급격하게 저항값이 감소한다. t1의 온도에서의 저항의 온도계수는 다음과 같다.
[1/°C] (온도상승: t2-t1, 저항값변화:R2-R1)
위 식에서 t1[°C]에 있는 도체의 저항 R1[Ω]과 온도계수 αt1의 값을 안다면, 온도 t2[°C]에서 저항 R2의 값은
R2=R1{1 + αt1(t2-t1)} [Ω] 이 된다.
순구리의 20[°C]에서의 α20의 값이 0.00393[1/°C] 인데, 반도체나 탄소 절연체, 전해액 등은 온도가 올라가면 전도율이 커져 온도계수가 부(-)의 값을 가진다.
예제) 구리선의 저항이 20[°C]에서 10[Ω]이라면, 50[°C]일 때의 저항은 몇 인가? (단, 구리선의 20[°C]에서의 온도계수는 39.3*10-4[1/°C]임.)
풀이 : R50=R20{1 + α20(50-20)}
= 10(1 + 39.3*10-4*30)}
=11.79[Ω]
로옴 주식회사 – ROHM Semiconductor
저항 온도 계수에 대하여
모든 물질은 온도 변화에 따라 내부의 저항치가 변화합니다.
저항기 역시 온도의 변화에 따라 저항치가 변화하며, 그 변화률을 저항 온도 계수라고 합니다.
단위는 ppm/℃이며, 일정한 기준온도에서의 저항치 변화율과 온도차를 바탕으로 하기와 같이 산출합니다.
전기 또는 전자 공학에서 전류의 흐름이 전선을 통해 공급되면 전선의 저항 . 완벽한 상태에서 저항은 ‘0’이어야하지만 발생하지 않습니다. 와이어가 가열되면 온도에 따라 와이어 저항이 변합니다. 저항이 안정적으로 유지되고 독립적이어야하는 것이 바람직하지만 온도 . 따라서 온도 내의 모든 각도 변화에 대한 저항 변화를 저항 온도 계수 (TCR)라고합니다. 일반적으로 기호 알파 (α)로 표시됩니다. 순수 금속의 TCR은 양수입니다. 온도가 상승하면 저항이 증가하기 때문입니다. 따라서 저항이 합금을 수정하지 않는 곳에서 매우 정확한 저항을 만드는 것이 필요합니다.
온도 저항 계수 (TCR)는 무엇입니까?
우리는 많은 재료가 있고 약간의 저항이 있음을 알고 있습니다. 재료의 저항은 온도 변화에 따라 변합니다. 온도 수정과 저항 수정 사이의 주요 관계는 TCR (저항 온도 계수)이라는 매개 변수에 의해 제공 될 수 있습니다. 기호 α (알파)로 표시됩니다.
획득 가능한 재료에 따라 TCR은 양의 저항 온도 계수 (PTCR)와 음의 저항 온도 계수 (NTCR)의 두 가지 유형으로 구분됩니다.
저항의 온도 계수
PTCR에서 온도가 증가하면 재료 저항이 증가합니다. 예를 들어 도체에서 온도가 상승하면 저항도 증가합니다. 콘스 탄탄 및 망가닌과 같은 합금의 경우 특정 온도 범위에서 저항이 매우 낮습니다. 에 대한 반도체 절연체 (고무, 목재), 실리콘 및 게르마늄 및 전해질과 같은. 저항이 감소하면 온도가 증가하여 TCR이 음수입니다.
금속 도체에서 온도가 상승하면 다음과 같은 요인으로 인해 저항이 증가합니다.
초기 저항에 곧바로
온도 상승.
재료의 수명을 기준으로합니다.
저항의 온도 계수 공식
도체 저항은 온도 데이터, TCR, 일반적인 온도에서의 저항 및 온도 작동에서 지정된 온도에서 계산할 수 있습니다. 일반적으로 저항 공식의 온도 계수 다음과 같이 표현할 수 있습니다.
R = R 심판 (1 + α (T-Tref))
어디
‘R’은‘T’온도에서의 저항입니다.
‘아르 자형 심판 ’는‘Tref’온도에서의 저항입니다.
‘α’는 재료의 TCR입니다.
‘T’는 재료의 온도 (° C)입니다.
‘Tref’는 온도 계수가 명시된 기준 온도입니다.
그만큼 저항률 온도 계수의 SI 단위 섭씨 1도 또는 (/ ° C)
그만큼 저항의 온도 계수 단위 섭씨 °
일반적으로 TCR (저항 온도 계수)은 20 ° C 온도와 일치합니다. 따라서 일반적으로이 온도는 정상적인 실내 온도로 간주됩니다. 그래서 저항 유도의 온도 계수 일반적으로 이것을 설명으로 가져옵니다.
R = R20 (1 + α20 (T-20))
어디
‘R20’은 20 ° C에서의 저항입니다.
‘α20’은 20 ° C에서 TCR입니다.
TCR의 저항기 고정 된 온도 범위에서 양수, 음수, 그렇지 않으면 일정합니다. 올바른 저항을 선택하면 온도 보상이 필요하지 않을 수 있습니다. 일부 응용 분야에서 온도를 측정하려면 큰 TCR이 필요합니다. 이러한 응용 분야를위한 저항기는 다음과 같이 알려져 있습니다. 서미스터 , PTC (양의 저항 온도 계수) 또는 NTC (음의 저항 온도 계수)가 있습니다.
저항의 양의 온도 계수
PTC는 온도가 상승하면 전기 저항도 증가하는 일부 재료를 말합니다. 계수가 더 높은 재료는 온도에 따라 빠르게 상승합니다. PTC 재료는 주어진 i / p 전압에 사용되는 최대 온도를 달성하도록 설계되었습니다. 온도가 상승하는 특정 지점에서 전기 저항이 증가하기 때문입니다. 저항 재료의 양의 온도 계수는 NTC 재료 또는 선형 저항 가열과는 달리 자연스럽게 자기 제한적입니다. PTC 고무와 같은 일부 재료는 온도 계수가 기하 급수적으로 상승합니다.
음의 온도 저항 계수
NTC는 온도가 상승하면 전기 저항이 감소하는 일부 재료를 말합니다. 계수가 낮은 재료는 온도에 따라 빠르게 감소합니다. NTC 재료는 주로 전류 제한 기, 서미스터 및 온도 센서 .
TCR 측정 방법
저항의 TCR은 적절한 온도 범위에서 저항 값을 계산하여 결정할 수 있습니다. 저항 값의 정상 기울기가이 간격보다 높을 때 TCR을 측정 할 수 있습니다. 선형 관계의 경우 저항의 온도 계수가 각 온도에서 안정적이므로 이것은 정확합니다. 그러나 비선형과 같은 계수를 갖는 여러 재료가 있습니다. 예를 들어, 니크롬은 저항에 사용되는 인기있는 합금이며 TCR과 온도 간의 주요 관계는 선형이 아닙니다.
따라서 TCR은 일반 기울기와 같이 측정되므로 TCR의 간격과 온도를 식별하는 것이 매우 중요합니다. TCR은 -55 ° C ~ 25 ° C 및 25 ° C ~ 125 ° C의 온도 범위에 대해 MIL-STD-202 기술과 같은 표준화 된 방법을 사용하여 계산할 수 있습니다. 계산 된 최대 값이 TCR로 식별되기 때문입니다. 이 기술은 위에서 자주 영향을 미치며 낮은 요구 사항을위한 저항을 나타냅니다.
일부 재료의 온도 저항 계수
20 ° C 온도에서 일부 재료의 TCR은 다음과 같습니다.
은 (Ag) 재료의 경우 TCR은 0.0038 ° C입니다.
구리 (Cu) 재료의 경우 TCR은 0.00386 ° C입니다.
금 (Au) 재료의 경우 TCR은 0.0034 ° C입니다.
알루미늄 (Al) 재질의 경우 TCR은 0.00429 ° C입니다.
텅스텐 (W) 재료의 경우 TCR은 0.0045 ° C입니다.
철 (Fe) 재료의 경우 TCR은 0.00651 ° C입니다.
백금 (Pt) 재료의 경우 TCR은 0.003927 ° C입니다.
Manganin (Cu = 84 % + Mn = 12 % + Ni = 4 %) 재료의 경우 TCR은 0.000002 ° C입니다.
수은 (Hg) 물질의 경우 TCR은 0.0009 ° C입니다.
니크롬 (Ni = 60 % + Cr = 15 % + Fe = 25 %) 재료의 경우 TCR은 0.0004 ° C입니다.
Constantan (Cu = 55 % + Ni = 45 %) 재료의 경우 TCR은 0.00003 ° C입니다.
탄소 (C) 재료의 경우 TCR은 – 0.0005 ° C입니다.
게르마늄 (Ge) 재료의 경우 TCR은 – 0.05 ° C입니다.
실리콘 (Si) 재료의 경우 TCR은 – 0.07 ° C입니다.
황동 (Cu = 50 – 65 % + Zn = 50 – 35 %) 재료의 경우 TCR은 0.0015 ° C입니다.
니켈 (Ni) 재료의 경우 TCR은 0.00641 ° C입니다.
주석 (Sn) 재료의 경우 TCR은 0.0042 ° C입니다.
아연 (Zn) 재료의 경우 TCR은 0.0037 ° C입니다.
망간 (Mn) 물질의 경우 TCR은 0.00001 ° C입니다.
탄탈륨 (Ta) 재료의 경우 TCR은 0.0033 ° C입니다.
TCR 실험
그만큼 저항 실험의 온도 계수 t는 아래에 설명되어 있습니다.
객관적인
이 실험의 주요 목적은 주어진 코일의 TCR을 발견하는 것입니다.
기구
이 실험의 장치는 주로 연결 와이어, 캐리 포스터 브리지, 저항 상자, 납 축전지, 단방향 키, 알 수없는 낮은 저항, 기수, 검류계 등을 포함합니다.
기술
Carey 포스터 브리지는 주로 미터 브리지와 유사합니다.이 브리지는 P, Q, R & X와 같은 4 개의 저항으로 설계 될 수 있고 서로 연결되어 있기 때문입니다.
휘트 스톤 브리지
위에서 숫돌의 다리 , 검류계 (G), 납 축 압기 (E) 및 검류계와 축 압기의 키는 각각 K1 & K입니다.
저항 값이 변경되면 ‘G’를 통과하는 흐름 전류가 없으며 알 수없는 저항은 P, Q, R & X와 같은 알려진 세 가지 저항 중 하나에 의해 결정될 수 있습니다. 다음 관계는 알 수없는 저항을 결정하는 데 사용됩니다.
P / Q = R / X
Carey foster bridge는 거의 동일한 두 저항 사이의 불일치를 계산하는 데 사용할 수 있으며 한 값을 알고 다른 값을 계산할 수 있습니다. 이러한 종류의 브리지에서 마지막 저항은 계산에서 제거됩니다. 이는 이점이므로 알려진 저항을 계산하는 데 쉽게 사용할 수 있습니다.
캐리 포스터 브리지
P & Q와 같은 동일한 저항은 내부 갭 2 및 3에 연결되고 일반적인 저항 ‘R’은 gap1 내에서 연결될 수 있으며 ‘X'(알 수없는 저항)는 갭 4 내에서 연결됩니다. ED는 ‘E’끝에서 계산할 수있는 균형 길이입니다. Whetstone Bridge 원칙에 따라
P / Q = R + a + l1ρ / X + b + (100- l1) ρ
위의 방정식에서 a & b는 E & F 끝의 끝 수정이며 브리지 와이어의 모든 단위 길이에 대한 저항입니다. 이 테스트가 X 및 R을 변경하여 계속되는 경우 균형 길이 ‘l2’는 끝 E에서 계산됩니다.
P / Q = X + a + 12 ρ / R + b + (100-12) ρ
위의 두 방정식에서
X = R + ρ (11-12)
위의 테스트가 ‘R’대신 일반적인 저항 ‘r’및 ‘0’저항의 넓은 구리 스트립 인 X 대신에 수행되면 l1 및 l2를 균형 길이라고하겠습니다.
0 = r + ρ (11’-12’) 또는 ρ = r / 11’-12’
코일 저항이 t1oc & t2oc와 같은 온도에서 X1 & X2이면 TCR은
Α = X2-X1 / (X1t2-X2t1)
또한 코일 저항이 0oc & 100oc와 같은 온도에서 X0 & X100이면 TCR은
Α = X100-X0 / (X0 x 100)
따라서 이것은 온도 계수에 관한 것입니다. 저항 . 위의 정보로부터 마지막으로 이것이 온도 변화의 모든 수준에 대한 전기 저항 물질의 수정 계산이라는 결론을 내릴 수 있습니다. 저항 온도 계수의 단위는 무엇입니까?
온도계수에 따른 저항의 변화
$R_{T1}= R_{T0}[1 + \alpha (t_1-t_0)]$ ——————————— (1)
여기서, $R_{T1}$ : 변동된 온도에서의 저항, $R_{T0}$ : 초기 저항
$\alpha$ : 저항의 온도 계수, $t_1$ : 변동된 온도, $t_0$ : 초기 온도
윗 식은 당연하다. $\alpha$는 저항의 온도 계수. 저항의 증감($\Delta R$)은 온도의 변화에 비례한다.
$\Delta R \propto \alpha \Delta T $
“저항의 온도 계수”에서 “저항의” 라는 말은, 저항($R_{T0} $)에 비례한다는 의미이다.
$\Delta R \propto \alpha \Delta T R_{T0}$
그러므로, 최종 저항값은 “원래의 저항 값” + “증감된 저항값($\Delta R$)”이다. 식으로는,
$R_{T1} = R_{T0} + \alpha (\Delta T ) R_{T0}$
과 같이 된다. 이것은 수식 (1)과 같다.
도체는 온도가 올라가면 저항이 같이 올라가는 정저항 온도 계수를 가진다.
반도체는 부저항 온도 계수를 가진다.
전기히터는 온도가 올라가면 저항이 커져 전기가 잘 흐르지 않케 되어 안정적이라고 보면,
반도체는 온도가 올라가면 저항이 줄어들어서 전기가 더욱 더 잘 흐르게 된다.
그 최후는 사망이다. 그래서 CPU에는 발열을 줄이기 위한 쿨러를 달아주게 된다.
저항소자만으로 보았을 때, $\alpha$가 0이면 완벽한 저항소자, $\alpha$ 값이 높다는 것은 온도차에 민감하다는 의미이다.
저항의 온도계수
혹시 회로에 연결된 저항이 온도에 따라 변한다는 사실을 알고 있는가?
전기 기능사 또는 전기 기사를 공부하시는 분들께서는 배웠을 것이다.
(참고로 우리는 온도 계수가 양수인 경우 만을 알아보는 중이다.
온도 계수는 대체로 양수인 경우가 많다.)
여기서 우리가 집중해야 할 부분은 온도 계수의 두 번째 설명이다.
처음 온도에 따라 온도 계수가 변한다는 것을 함수로 나타내면 다음과 같다. (처음 온도-온도 계수) 함수.
그럼 이 함수 식이 어떻게 유도되었는지 증명해보자.
이 세 가지 식으로부터 유도 가능하다.
여기 까지 오신 분들 수고 많으셨습니다.^^
(직렬연결된 저항의 합성 온도 계수 공식이 궁금하신 분들께서는 https://pilgigo.tistory.com/13여기를 참고 바랍니다.)
온도 저항 계수
온도 저항 계수
우리는 온도의 변화에 따른 모든 저항의 전기 저항이 온도의 변화에 따라 변하는 온도 변화에 대한 제목 아래의 페이지에서 논의했듯이.
저항 온도계 수 온도 변화 정도마다 모든 물질의 전기 저항 변화 측정입니다.
저항 R을 갖는 도체를 취해 봅시다. 0 0시에영형C와 R 티 ~에서영형C를 각각 나타낸다.
온도에 따른 저항 변화 방정식으로부터 우리는
영형
초기 온도에서의 저항 값, 온도 상승과 저항의 온도 계수 α 영형 .
이 α라는그 물질의 0에서기음.위의 식으로부터 온도에 의한 물질의 전기 저항 변화는 주로 세 가지 요소에 달려 있음이 분명합니다.
영형
이 α재료에 따라 다르므로 서로 다른 온도에서 저항에 미치는 영향은 재료마다 다릅니다.
그래서 저항 온도 계수 0시에영형어떤 물질의 C는그 물질의 영 저항 온도를 추정했다. 지금까지 우리는 온도가 증가함에 따라 저항이 증가하는 물질에 대해 논의했지만 온도의 감소에 따라 전기 저항이 감소하는 많은 물질이 있습니다. 실제로 금속에서 온도가 증가하면 자유 전자의 무작위 운동과 금속 내부의 원자력 진동이 증가하여 충돌이 증가합니다. 더 많은 충돌은 금속을 통한 전자의 부드러운 흐름에 저항하기 때문에 금속의 저항은 온도 상승에 따라 증가합니다. 그래서 우리는 저항의 온도 계수를 금속에 대해 양의 값으로 간주합니다.
그러나 반도체 또는 기타 비금속의 경우,자유 전자의 수는 온도의 증가에 따라 증가한다. 더 높은 온도에서, 결정에 공급되는 충분한 열 에너지로 인해, 많은 수의 공유 결합이 깨지므로 더 많은 자유 전자가 생성됩니다. 즉, 온도가 상승하면 금지 된 에너지 갭을 가로 질러 가전 자대 (valence band)에서 전도대로 상당량의 전자가 흐릅니다. 자유 전자의 수가 증가함에 따라 이러한 유형의 비금속 물질의 저항은 온도가 증가함에 따라 감소합니다. 금후 저항 온도 계수 비금속 물질과 반도체는 부정적이다.
저항의 변화가 거의 없다면온도와 함께이 계수의 값을 0으로 간주 할 수 있습니다. Constantan과 manganin의 합금은 저항의 온도 계수가 거의 제로입니다.
이 계수의 값은 일정하지 않습니다. 저항의 증가가 기준이되는 초기 온도에 따라 달라집니다. 증분이 초기 온도 0을 기준으로 할 때영형C,이 계수의 값은 α 영형 – 그게 그 역의물질의 영 저항 온도를 각각 추정했다. 그러나 다른 온도에서 전기 저항의 온도 계수는이 α와 같지 않습니다 영형 . 실제로 모든 재질에 대해이 계수의 값은 0에서 최대입니다.영형C 온도. 임의의 t에서이 계수의 값을 말하십시오.영형C는 α 티 , 그 값은 다음 방정식에 의해 결정될 수있다.
2
1
온도 계수의 개념 검토
온도 t에서이 계수의 값동일한 기간에 CC는 다음과 같이 주어진다.
같은 전도체의 전기 저항은, 구리, 금, 알루미늄 등은 물질 내의 전자 충돌 과정에 의존한다. 온도가 증가함에 따라,이 전자 충돌 프로세스가 더 빨라지며, 이는 도체의 온도 상승으로 증가 된 저항을 초래한다. 도체의 저항은 일반적으로 온도가 상승함에 따라 상승합니다.
도체가 R 1 t에서의 저항 1 영형온도를 상승시킨 후에 그 저항은 R 2 ~에서 2 영형이 저항 상승 (R 2 – R 1 ) 온도 상승 (t 2 – t 1 ) 다음 일들에 달려있다 –
1
일부 재료 또는 물질의 저항 온도 계수
Sl. 아니. 재료 / 물질 화학 기호 / 화학 성분 저항 온도 계수 /영형C (20시영형기음) 1 은 Ag 0.0038 2 구리 Cu 0.00386 3 금 Au 0.0034 4 알류미늄 알 0.00429 5 텅스텐 승 0.0045 6 철 Fe 0.00651 7 백금 Pt 0.003927 8 망간 닌 Cu = 84 % + Mn = 12 % + Ni = 4 % 0.000002 9 수은 HG 0.0009 10 니크롬 Ni = 60 % + Cr = 15 % + Fe = 25 % 0.0004 11 콘스탄탄 Cu = 55 % + Ni = 45 % 0.00003 12 탄소 기음 – 0.0005 13 게르마늄 Ge – 0.05 14 규소 시 – 0.07 15 놋쇠 Cu = 50~65 % + Zn = 50~35 % 0.0015 16 니켈 니켈 0.00641 17 주석 Sn 0.0042 18 아연 아연 0.0037 19 망간 Mn 0.00001 20 탄탈 고마워 0.0033
상기 효과를 조합함으로써,여기서, α는~에서 재료의기음.수학 식 1로부터,특정 온도에서 저항과 저항을 알고 있다면식 (2)를 사용하여 다른 온도에서 재료의 저항을 찾을 수 있습니다.그만큼일부 물질 / 물질 20 개C가 아래에 열거되어 있습니다.
자료의 온도 계수에 대한 온도의 영향
그만큼 저항 온도 계수 재료의 온도도 온도에 따라 변합니다.
α 영형 0에서 재료의 저항 온도 계수영형C에서 방정식 (2)로부터 t에서의 재료의 저항영형기음,
0
티
1
2
1
2
어디서, R0에서의 재료 저항기음유사하게, t에서의 재료의 저항 온도 계수C가 αt이면, 0에서의 재료의 저항식 (2)로부터,어디서, Rt에서의 재료 저항기음수학 식 3 및 수학 식 4로부터,여기서, α및 α그만큼~에서 재료의C와 TC를 각각 나타낸다.그러므로 우리가(6)을 사용하여 다른 온도에서 재료의 온도 계수를 알아낼 수 있습니다.전도성 물질은 크고 양의 온도 계수의 저항을 가지고 있습니다. 따라서, 온도 상승에 따라 전도성 물질 (금속)의 저항이 상승합니다.반도체 및 절연 재료는 음의 온도 계수를 가지고 있습니다. 따라서, 반도체 및 절연체의 저항은 온도 상승에 따라 감소한다.manganin, constantan 등과 같은 합금은 매우 낮고 양의 값을 갖습니다.. 따라서 합금의 저항이 증가합니다.온도가 상승해도 저항의 상승은 다른 금속에 비해 매우 낮아 (거의 무시할 수 있음),이 합금을 측정 장비에 사용하기에 적합합니다.
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