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[반도체 8대 공정] 4탄, 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 포토공정
흔히 포토 리소그래피(Photo Lithography)를 줄여서 포토공정(Photo)이라고 하는데요. 이 공정은 웨이퍼 위에 회로 패턴이 담긴 마스크 상을 빛을 이용해 …
Source: www.samsungsemiconstory.com
Date Published: 4/16/2021
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[반도체 공정] 3. 포토공정(Photolithography) – 생각하는 공대생
포토공정(Photolithography)이란 웨이퍼에 반도체 회로를 그리는 작업으로, 패터닝(patterning)이라고 생각하면 된다. … 이때 감광성이란 빛에 반응하여 …
Source: allgo77.tistory.com
Date Published: 2/29/2022
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[컴공이 설명하는 반도체공정] 5. 포토 공정 – velog
포토공정 (Photolithography)은 wafer에 직접 회로를 패터닝하는 (lithography 또는 patterning) 공정을 의미합니다. 포토공정에서 가장 많이 사용되는 …
Source: velog.io
Date Published: 8/22/2022
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[디스플레이 용어알기] 40. 포토리소그래피 (Photolithography …
포토리소그래피(Photolithography)는 반도체, 디스플레이 제조공정에서 사용하는 공정입니다. 포토 공정이라고도 불리며, 사진 인쇄 기술과 비슷하게 …
Source: news.samsungdisplay.com
Date Published: 4/16/2021
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주제에 대한 기사 평가 포토 공정
- Author: 디벨럽_DEVELOP
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- Date Published: 2020. 7. 2.
- Video Url link: https://www.youtube.com/watch?v=3GAwysbyHhU
[반도체 8대 공정] 4탄, 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 포토공정 – 삼성반도체이야기
지난 시간에 산화공정과 집적회로에 대해 소개해드렸는데요. 이번에는 웨이퍼 위에 반도체 회로를 그려 넣는 포토공정(Photo)에 대해 알아보려 합니다. 포토공정은 필름카메라로 사진을 찍는 원리와 비슷한데요. 어떻게 비슷한 지 알아볼까요?
흑백사진 인화와 비슷한 포토공정
흔히 포토 리소그래피(Photo Lithography)를 줄여서 포토공정(Photo)이라고 하는데요. 이 공정은 웨이퍼 위에 회로 패턴이 담긴 마스크 상을 빛을 이용해 비춰 회로를 그리기 때문에 붙여진 이름입니다. 여기서 패턴을 형성하는 방법은 흑백 사진을 만들 때 필름에 형성된 상을 인화지에 인화하는 것과 유사합니다.
반도체는 집적도가 증가할수록 칩을 구성하는 단위 소자 역시 미세 공정을 사용해 작게 만들어야 하는데요. 미세 회로 패턴 구현 역시 전적으로 포토 공정에 의해 결정되기 때문에 집적도가 높아질수록 포토 공정 기술 또한 세심하고 높은 수준의 기술을 요하게 됩니다.
웨이퍼에 회로 패턴을 만드는 준비 단계
그럼 본격적으로 포토공정이 어떻게 이루어지는지 알아볼까요? 먼저 컴퓨터 시스템(CAD, computer-aided design)을 이용해 웨이퍼에 그려 넣을 회로를 설계합니다. 전자회로 패턴(Pattern)으로 설계되는 이 도면에 엔지니어들이 설계한 정밀회로를 담으며, 그 정밀도가 반도체의 집적도를 결정합니다.
사진 원판의 역할을 하는 포토마스크 만들기
▲ 포토마스크(Photo Mask)
설계된 회로 패턴(Pattern)은 순도가 높은 석영(Quartz)을 가공해서 만든 기판 위에 크롬(Cr)으로 미세 회로를 형상화해 포토마스크(Photo Mask)로 재탄생 하게 됩니다. 마스크(Mask)는 Reticle이라고도 부르는데, 이것은 회로 패턴을 고스란히 담은 필름으로 사진 원판의 기능을 하게 되는데요. 마스크는 보다 세밀한 패터닝(Patterning)을 위해 반도체 회로보다 크게 제작되며, 렌즈를 이용 빛을 축소해 조사하게 됩니다.
포토공정은 감광액 도포, 노광, 현상의 세부 공정으로 다시 나뉩니다. 포토공정을 더 자세히 알아볼까요?
본격 포토공정, 웨이퍼를 인화지로 만드는 감광액 도포
이제 웨이퍼에 그림을 그릴 준비가 됐습니다. 다음 단계는 웨이퍼 표면에 빛에 민감한 물질인 감광액(PR, Photo Resist)을 골고루 바르는 작업인데요. 이 작업이 사진을 현상하는 것과 같이 웨이퍼를 인화지로 만들어줍니다. 보다 고품질의 미세한 회로 패턴을 얻기 위해서는 감광액(PR) 막이 얇고 균일해야 하며 빛에 대한 감도가 높아야 하죠.
빛을 통해 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 노광
감광액(PR) 막을 형성해 웨이퍼를 사진 인화지와 비슷한 상태로 만든 후에는 노광장비(Stepper)를 사용해 회로 패턴이 담긴 마스크에 빛을 통과시켜 웨이퍼에 회로를 찍어냅니다. 이 과정을 노광(Stepper Exposure)이라고 하는데요. 반도체 공정에서의 노광은 빛을 선택적으로 조사하는 과정을 말합니다.
회로 패턴을 형성하는 현상 공정
포토공정(Photo)의 마지막 단계는 현상(Develop)으로 일반 사진을 현상하는 과정과 동일합니다. 이 과정에서 패턴의 형상이 결정되기 때문에 매우 중요한데요. 현상(Develop) 공정은 웨이퍼에 현상액을 뿌려 가며 노광된 영역과 노광 되지 않은 영역을 선택적으로 제거해 회로 패턴을 형성하는 공정입니다.
웨이퍼 위에 균일하게 입혀진 감광액(PR)은 빛에 어떻게 반응하는가에 따라 양성(positive) 혹은 음성(negative)로 분류됩니다. 양성 감광액의 경우 노광 되지 않은 영역을 남기고 음성 감광액의 경우 노광된 영역만 남겨 사용하게 되는데요.
현상 공정까지 마치게 되면 모든 포토공정이 끝나는데요. 각종 측정 장비와 광학 현미경 등을 통해 패턴이 잘 그려졌는지 꼼꼼하게 검사한 후, 이를 통과한 웨이퍼만이 다음 공정 단계로 이동합니다.
지금까지 웨이퍼 표면에 세밀한 회로 패턴을 찍는 포토공정에 대해 알아보았는데요. 다음 시간에는 웨이퍼에 회로 패턴을 만들기 위해 필요한 부분을 남기고, 필요 없는 부분을 선택적으로 깎아내는 식각공정에 대해 소개하겠습니다.
[반도체 공정] 3. 포토공정(Photolithography)
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포토공정(Photolithography)의 개요
포토공정(Photolithography)이란 웨이퍼에 반도체 회로를 그리는 작업으로, 패터닝(patterning)이라고 생각하면 된다.
이는 반도체 회로를 본격적으로 그리기 시작하는 과정으로, 준비된 웨이퍼(wafer)위에 빛에 반응하는 감광성 고분자물질인 PR(Photo Resist) 또는 LOR(Lift Off Resist)을 얇게 코팅한 후 원하는 패턴의 마스크(mask) 올려놓고 빛을 쪼여 원하는 패턴을 형성하는 과정이다.
이때 감광성이란 빛에 반응하여 분자구조가 바뀐다는 것을 의미한다. 고분자 물질인 PR에는 두가지 종류가 있는데, Positive PR과 Negative PR이다. Positive PR은 빛을 받으면 polymer간의 결합이 끊어지며 Negative PR은 빛을 받으면 반대로 polymer가 뭉쳐진다. 이는 후에 설명할 Develop이라는 과정에서 차이가 나타나므로 후에 같이 설명하도록 하겠다.
포토공정(Photolithography)
1. Clean Wafer (Wafer preparation)
포토공정에 앞서 Wafer Cleaning / Dehydration Baking / Wafer Prime의 3가지 공정을 진행한다.
이중 Dehyration Baking은 기판표면에 남아있는 잔여 수분을 제거하기 위해 진행한다. Substrate 위에 수분이 남아 있으면 기름 성분인 PR과 기판간의 접착을 방해하기 때문에 이를 제거하는 baking 과정이 필요한 것이다.
Wafer Prime은 PR과 기판의 접착성을 향상시키기 위해 계면활성제를 도포해주는 과정이다. (Spin Coating으로 진행함)
2. Deposit
Deposit 단계는 준비된 기판위에 패턴을 형성하고 싶은 물질을 올려주는 과정이다. 패턴을 형성하기 위해 쓰이는 물질에는 SiO2나 metal등이 대표적이며 자세한 공정 다시 다루도록 하겠다.
3. Coat with PR (or LOR)
감광제(PR 또는 LOR)을 도포하는 과정은 Spin Coating으로 이루어진다. 이는 포토공정에 필요한 두께의 PR을 실리콘 웨이퍼 기판 전체에 균일하게 형성하는 과정이다.
이런 Spin Coating에는 몇가지 단점 이 존재하는데 첫번째는 Edge Bead 라는 현상이다. Edge Bead란 Spin하는 원심 력에 의해 웨이퍼 가장 자리에 PR이 뭉치는 현상을 말한다. Edge Bead가 존재할 경우 균일하지 않은 표면 때문에 Mask를 부착하는등의 공정에 방해가 될 수 있으므로 Edge Bead removal 공정을 통해 이를 없애는 과정 또한 필요하다.
두번째 는 Streak 라는 현 상이다. 웨이퍼 위에 Particle 입자나 불규칙적이 구멍 이 있으면 Spinning 과정에서 PR이 퍼져나가며 결함이 발생하게된다. Streak는 철저한 wafer cleaning 과정을 통해서 방지 할 수 있다.
4. Soft Bake (pre-bake)
Soft Bake 과정은 도포한 PR과 함께 남아있는 Solvent를 제거하고 기판과의 접착을 강화 하기 위함 이다. 여기에는 크게 2가지 방식이 있는데, Oven 방식 과 Hot Plate 방식 이 있다. (일반적으로 90-100°C )
열의 균일성과 baking time 및 비용등을 모두 고려하였을 때 Hot Plate를 쓰는 방식이 전반적으로 우수하기 때문에 특별한 경우를 제외하고 Hot plate를 더 많이 이용한다.
5. Align Masks
Alignment 는 Mask의 패턴을 소자의 정확한 위치에 맞추는 작업 이다. 이는 복잡한 패턴을 형성하거나 포토 공정을 여러번 해야하는 경우에 필수적인 공정이다. 이 과정에서 정렬이 어긋나면 소자가 오작동하거나 전기적 결함이 발생 할 가능성이 매우 크다.
정렬이 잘된 Alignment(왼쪽)와 정렬이 어긋난 Alignment(오른쪽)
6. Expose Pattern (Exposure)
Exposure 은 PR (LOR) 에 빛(UV – ultra violet)을 발사하여 패턴이 형성되도록 하기 위한 과정 이다. 원하는 패턴의 Mask를 기판과 Align한 후 빛을 발사함으로써 Mask 패턴 모양에 따라 기판 위에 패턴이 형성 된다.
Exposure 은 크게 3가지 종류 가 있다. ① Contact ② Proximity ( Non-Contact) ③ Projection (a) Contact Aligner (b) Proximity (Non-Contact) Aligner Contact mode는 mask와 기판을 말그대로 매우 가깝게 닿게 하고 exposure을 하는 경우이다. PR층과 mask가 가까워 빛의 회절에 의한 영향을 적게 받는다. 때문에 작은 패턴을 만드는데 유리하다. (high resolution) 하지만 mask와 PR이 닿아 있기 때문에 mask를 교체하는데 번거로우며 defect가 생길 수 있다. Proximity mode (Non-contact)의 경우 mask와 기판 사이에 간격을 두고 exposure을 진행한다. Mask와 PR이 닿음으로써 생기는 defect이 적고 mask의 교체가 유리하지만 빛의 회절의 영향으로 작은 패턴을 형성하는데에는 어려움이 있으며 기판과 mask 사이의 간격이 일정하지 못하면 . 주로 큰 패턴을 만드는데 사용한다. Projection mode는 광학현미경과 같이 광원과 wafer사이에 condenser lens 및 objective lens를 삽입하여 mask pattern을 축소하여 더욱 작은 기판에 형성할 수 있도록 하는 mode이다. 높은 해상도를 보인다. Stepper printing이라고도 한다. 7. Develop Develop이란 developer라는 현상액을 이용하여 일정 부위의 PR을 제거하여 패턴을 형성하는 과정이다. PR에는 positive PR 과 negative PR 의 두종류가 있다. Positive PR 의 경우 UV를 받은 부분의 고분자 결합이 끊어져 developer에 의해 사라지게 되고 mask로 막혀 UV를 받지 않은 부분만 남아 패턴을 형성 한다. 반대로 Negative PR 은 UV를 받는 부분의 고분자들이 뭉치게 되어 mask로 막혀 UV를 받지 않은 부분이 developer에 의해 제거 된다. 즉, 그림과 같이 Positive PR은 mask와 같은 모양의 패턴이, Negative PR은 mask와 반대 모양의 패턴이 나타난다고 생각하면 된다. 8. Hard Bake Hard Bake 는 develop후에 남아있는 수분과 solvent 등을 제거 하여 PR을 다시 건조시키기 위해 진행한다. 더불어 PR 내 기포를 제거하여 안정화와 결합력(cross linking)을 증가시켜주는 공정이다. 마찬가지로 hot plate를 주로 이용한다. (>100ºC) 9. Etching 형성된 PR(LOR) pattern 모양대로 SiO2나 metal을 깎아주는 과정으로(식각) 해당 공정 포스팅에서 자세하게 설명하겠다.
10. Remove PR
SiO2나 metal을 원하는 패턴으로 만든 후 남아 있는 PR(LOR)을 제거하여 패터닝을 완성하는 작업이다. 잔여 PR은 Acetone등에 의해서 제거되며 잔여 LOR은 developer등에 의하여 제거된다.
[컴공이 설명하는 반도체공정] 5. 포토 공정
V t h = V F B + 2 ϕ f + 2 ϵ s q N A ( 2 ϕ f ) C o x + q Q M C o x V_{th} = V_{FB} + 2 \phi_f + {{{\sqrt {2 \epsilon_s q N_A (2 \phi_f)}} \over {C_{ox}}} + {{qQ_M} \over {C_{ox}}}} V t h = V F B + 2 ϕ f + C o x 2 ϵ s q N A ( 2 ϕ f ) + C o x q Q M
Q M Q_M Q M
[디스플레이 용어알기] 40. 포토리소그래피 (Photolithography), 포토 공정
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